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场效应MOS管DMG4800LK3参数

PD最大耗散功率:1.71WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.017ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:0.8~1.6VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    DMG4800LK3是一款MOSFET(场效应晶体管),具有高效能和多功能性的特点,被广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍DMG4800LK3的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:DMG4800LK3常用于电源管理系统,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。其低导通电阻和快速开关特性,使其能够在高效电源转换中减少能量损失,提高系统整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动领域,DMG4800LK3被用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压和大电流处理能力,确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    3. 负载开关:DMG4800LK3作为负载开关,能够控制各类电器设备的开关操作,特别是在便携式设备中,通过精确的开关控制来实现节能和延长电池寿命。

    4. 照明系统:在LED照明系统中,DMG4800LK3用于驱动和调节LED灯的亮度。其快速响应和高效能特点,使其能够在智能照明系统中提供平稳和可靠的光源控制。

    5. 通信设备:DMG4800LK3也广泛应用于各种通信设备中,包括路由器、交换机和基站等。其高频特性和低损耗设计,有助于提升通信设备的性能和信号传输质量。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:DMG4800LK3的典型导通电阻仅为12.5毫欧(mΩ),这使得它在导通状态下能够高效传输电流,减少了能量损耗,提高了系统效率。

    - 高耐压能力:DMG4800LK3具有30V的漏源极电压(Vds)耐压能力,适用于大多数电源管理和高电压应用场景。

    - 大电流处理能力:该器件能够处理高达9A的连续漏极电流(Id),在高功率应用中表现出色,确保了可靠性和耐久性。

    - 快速开关速度:DMG4800LK3的开关速度非常快,典型的开关时间在几十纳秒(ns)级别,这使得它在高频开关应用中具有极高的效率和精度。

    - 低栅极电荷:DMG4800LK3的栅极电荷(Qg)非常低,仅为15nC,这意味着它可以在低栅极驱动电流的情况下实现快速开关,进一步降低了能耗。

    DMG4800LK3凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为了现代电子设计中不可或缺的一部分。从电源管理到电机驱动,从负载开关到照明系统,再到通信设备,DMG4800LK3展示了其多功能性和高效能特点,为各种电子设备提供了可靠的支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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