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场效应MOS管CEU630N参数

PD最大耗散功率:54WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    CEU630N是一款由Vishay Siliconix公司生产的N沟道MOSFET晶体管。该型号在功率开关和高频应用中具有广泛的应用场景,以下详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. DC-DC转换器:CEU630N因其出色的开关速度和效率,广泛用于便携式设备和计算机周边设备的DC-DC转换器中。它能有效提高转换效率,降低系统的热损耗。

    2. 电源管理:在笔记本电脑、智能手机等消费电子产品中,CEU630N用于主电源开关和电源管理模块,以实现更高的电源效率和长时间的电池续航能力。

    3. 电机驱动:CEU630N亦被用于小型电机的驱动控制,特别是在需要精确控制和高效输出的应用中,如无人机和其他便携式设备。

    4. 负载开关:由于其低导通电阻和高电流承受能力,CEU630N适合用作各种应用的高效负载开关,包括LED照明和通信设备。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:CEU630N具有极低的导通电阻(Rds(on)),这意味着在导通状态下能有效降低功率损耗,提高整体设备的能效和稳定性。

    2. 高耐压:该型号具有较高的耐压等级,能够承受较高的电压,使其在高压应用中表现出色,如工业电源系统。

    3. 快速开关速度:CEU630N的开关速度快,这对于需要快速响应的应用,如高频开关电源和某些类型的脉冲调制应用是非常重要的。

    4. SMD封装:该型号采用SMD封装,便于在现代电子设备中实现自动化表面贴装技术,降低制造成本并提高生产效率。

    5. 热性能优越:CEU630N设计考虑了优良的热扩散性能,即使在高负载工作条件下,也能维持较低的工作温度,确保设备的长期可靠性。

    综上所述,CEU630N是一款性能卓越的MOSFET,适用于多种电子设备中,提供高效、可靠的电力管理和开关解决方案。其出色的电气和热性能使其成为设计工程师在高性能应用中的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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