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场效应MOS管CEU5175参数

PD最大耗散功率:68WID最大漏源电流:-40AV(BR)DSS漏源击穿电压:-55VRDS(ON)Ω内阻:0.023ΩVRDS(ON)ld通态电流:-20AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    CEU5175是一种场效应MOS管,广泛应用于各种电子电路和设备中。本文将详细介绍CEU5175的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:CEU5175常用于开关电源的控制电路中。其高效能的开关特性使其成为电源转换器和稳压器中的理想选择。由于CEU5175具有低导通电阻和高输入阻抗,能有效减少能量损失,提高电源效率。

    2. 电动机驱动:在电动机控制领域,CEU5175被用作驱动器件。其快速响应时间和高开关速度,使其能够准确控制电动机的转速和方向,提高电动机的性能和效率。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,CEU5175用于充放电控制和保护电路。其低导通电阻和高耐压能力,确保了电池在充放电过程中的安全性和可靠性。

    4. 照明设备:CEU5175也广泛应用于LED照明系统中。其高效的电流控制能力,使其能够稳定地调节LED的亮度,同时减少功率损耗,提高照明系统的整体效率。

    5. 通信设备:在通信设备中,CEU5175被用作信号放大器和切换器。其高输入阻抗和低噪声特性,使其在信号传输过程中能够保持信号的完整性和稳定性,提供高质量的通信体验。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:CEU5175的低导通电阻(通常在几毫欧姆范围内)是其重要特点之一。这一特性确保了在高电流应用中的低功率损耗,提高了整个系统的效率。

    - 耐压能力:CEU5175具有较高的耐压能力,通常在60V到100V之间。这使其能够在高压环境中稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 开关速度:CEU5175的开关速度非常快,开关时间通常在几十纳秒到几百纳秒之间。快速的开关速度使其在高频应用中表现出色,能够满足高性能电路的要求。

    - 输入电容:CEU5175的输入电容较小,通常在几百皮法到几纳法之间。小输入电容确保了其在高频操作中的低能量损失和快速响应能力。

    - 热稳定性:CEU5175具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。其热阻低,散热效果好,适用于高功率应用。

    综上所述,CEU5175作为一种高性能的场效应MOS管,具有广泛的应用场景和优越的参数特点。其低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度、小输入电容和良好的热稳定性,使其成为电子电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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