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场效应MOS管CED12N10L参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.175ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    CED12N10L是一种N沟道增强型功率场效应晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍CED12N10L的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:CED12N10L常用于开关电源中,尤其在DC-DC转换器中表现突出。由于其低导通电阻和快速开关速度,CED12N10L能够提高转换效率,减少能量损耗。这使得它非常适合在需要高效率和高频率操作的电源设计中使用。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,CED12N10L被广泛应用。它的高电流处理能力和耐压性能,使其能够在电动工具、电动汽车和工业控制系统中有效工作,提供稳定和可靠的电流控制。

    3. 太阳能逆变器:CED12N10L在太阳能光伏系统中的逆变器应用也非常普遍。其高效的开关性能和低功耗特性,使其能够在高效能量转换中发挥重要作用,提升整体系统的效率和可靠性。

    4. 消费电子产品:CED12N10L在各种消费电子产品中也有广泛应用,如笔记本电脑、智能手机和家用电器等。这些设备要求高效的功率管理和散热性能,而CED12N10L能够提供所需的高效能和可靠性。

    5. 音频放大器:CED12N10L在高保真音频放大器中也有应用。其低噪声和高线性度使其在音频信号放大过程中能够保持高质量的音频输出,满足专业音响设备的高标准需求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):CED12N10L的典型导通电阻非常低,仅为0.15Ω。这意味着在开通过程中,它能够提供低电压降和高效率,减少功率损耗,适合高效率电路设计。

    - 漏源电压(VDSS):CED12N10L的最大漏源电压为100V,这使得它能够在高电压环境下工作,适用于各种高压应用场景,如电源管理和电机控制。

    - 连续漏极电流(ID):CED12N10L能够处理的连续漏极电流高达12A。这使得它能够在需要大电流的应用中,如电机驱动和功率放大器中,提供足够的电流支持。

    - 栅极电荷(Qg):CED12N10L的总栅极电荷约为30nC,这使得其开关速度非常快,适合高频率开关电源和高效能量转换应用。

    - 热阻(RθJA):CED12N10L的结至环境热阻为62.5℃/W,这意味着它具有良好的散热性能,能够在高功率密度的电路中有效工作,减少过热风险,提高可靠性。

    综上所述,CED12N10L凭借其低导通电阻、高电压耐受能力、大电流处理能力和快速开关速度,成为各种电子电路设计中的重要器件,广泛应用于电源管理、电机控制、太阳能逆变器、消费电子和音频放大器等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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