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晶体管BUZ10参数

极性:NPNPCN(mw)功率:75Wlc(mA)电流:23ABVCBO(V)集电极-基极电压:50VBVCEO(V)集电极-发射极电压:50VBVEBO(V)发射极-基极电压:20VhFE(min)最小放大倍数:hFE(max)最大放大倍数:

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    BUZ10是一种常见的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):BUZ10常用于开关电源中,作为主开关元件。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合高效能的开关电源设计。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,BUZ10被用作H桥电路中的开关器件。其高电流处理能力和快速响应特性有助于实现精确的电机控制。

    3. 逆变器:在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,BUZ10常用于DC-AC转换器部分。其高耐压特性确保在高电压应用中稳定工作。

    4. 电池管理系统:BUZ10在电池管理系统中用作充放电控制开关。其低漏电流和高效率特点有助于延长电池寿命和提高系统效率。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,BUZ10用作输出级的开关元件。其高线性度和低失真特点使其适合高保真音频放大器应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:BUZ10的典型导通电阻为0.2欧姆,低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗较小,有助于提高系统效率。

    - 高电流处理能力:BUZ10最大连续漏极电流为23A,这使其能够处理大电流负载,适用于高功率应用。

    - 高耐压特性:BUZ10的漏源极最大耐压为500V,高耐压特性确保其在高电压应用中稳定工作,避免击穿损坏。

    - 快速开关速度:BUZ10具有较快的开关速度,其典型的开关时间在几十纳秒范围内。这使其非常适合高频开关应用,如开关电源和逆变器。

    - 热特性优良:BUZ10的热阻低,仅为1.6°C/W,有助于在高功率工作条件下保持较低的结温,延长器件寿命。

    综上所述,BUZ10凭借其优越的电气和热特性,在各种高功率、高效率的应用中得到了广泛应用。其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压和快速开关速度使其成为电源管理、电机控制、逆变器和音频放大等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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