PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源和直流-直流转换器中,APM3009NU常被用于同步整流、负载开关和电池保护电路。其低导通电阻和高效率使其成为这些系统中的理想选择。
2. 消费电子设备:例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中,APM3009NU用于控制和调节电流,以延长电池寿命并提高设备的性能。
3. 汽车电子:在汽车电子系统中,APM3009NU被用于电动座椅、车窗调节和车灯控制等领域。其高耐压和可靠性保证了在汽车环境中的稳定运行。
4. 工业控制:在工业自动化设备中,APM3009NU用于电机驱动、电源控制和负载管理等应用。其高效能和可靠性满足了工业环境的严苛要求。
5. 通信设备:在路由器、交换机和基站等通信设备中,APM3009NU被用于电源控制和信号放大,确保设备的高效运行和稳定性。
二、参数特点:
- 低导通电阻:APM3009NU的导通电阻仅为7mΩ(最大值),这意味着在电流通过时,产生的功率损耗极低,提高了整体系统的效率。
- 高耐压:该器件的漏源极耐压为30V,能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。
- 大电流能力:APM3009NU具有高达35A的连续漏极电流能力,适合大电流需求的应用。
- 低栅极电荷:其栅极电荷典型值为9nC,这有助于降低驱动损耗,提高开关速度,适用于高频率的开关应用。
- 封装形式:APM3009NU采用标准的SO-8封装,具有良好的热性能和机械稳定性,便于集成到各种电路板中。
综上所述,APM3009NU作为一种高性能的功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压、大电流能力、低栅极电荷和优良的封装形式,在电源管理、消费电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域发挥着重要作用。
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