收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管AP9565GEH参数

场效应MOS管AP9565GEH参数

PD最大耗散功率:35.7WID最大漏源电流:-24AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.038ΩVRDS(ON)ld通态电流:-12AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-0.8~-2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

立即咨询


    AP9565GEH是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:AP9565GEH常用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。它能够高效地控制电流和电压转换,从而提高系统的整体效率。

    2. 电动工具和家用电器:在电动工具和家用电器中,AP9565GEH被用于电机驱动和负载控制。其高效率和低损耗特性使得电动工具和家用电器运行更加可靠和节能。

    3. 汽车电子:AP9565GEH在汽车电子中发挥重要作用,尤其是在电子控制单元(ECU)、电源分配单元(PDU)和照明系统中。其耐高温、高可靠性的特点使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

    4. 工业自动化:在工业自动化领域,AP9565GEH被用于电机驱动和工业控制系统。其高电流处理能力和耐用性确保了工业设备的稳定运行和长寿命。

    5. 通信设备:在通信设备如基站和路由器中,AP9565GEH用于电源管理和信号处理电路。其高频特性和低导通电阻保证了通信设备的高效和低功耗运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):AP9565GEH具有极低的导通电阻(典型值为2.4 mΩ),这意味着它在导通状态下的损耗极低,从而提高了系统的效率。

    - 高击穿电压:AP9565GEH的击穿电压(VDS)为60V,使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    - 高脉冲电流处理能力:AP9565GEH能够处理高达240A的脉冲电流,这使其在需要高瞬时电流的应用中表现优异,如电机启动和瞬态负载调节。

    - 快速开关特性:AP9565GEH具有快速的开关特性,开关速度高达几十纳秒。这使其在高频开关电路中表现出色,能够有效降低开关损耗和提高电路的效率。

    - 封装和散热性能:AP9565GEH采用TO-220封装,具有良好的热性能和机械强度。其封装设计有助于散热,确保在高功率条件下器件的稳定运行。

    综上所述,AP9565GEH作为一款高性能的功率MOSFET,凭借其优异的电气特性和广泛的应用场景,在电源管理、汽车电子、工业自动化等领域中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号