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N管 MOS场效应管AO4912参数

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    AO4912 是一种N沟道MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO4912常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为高效开关器件。这种应用需要MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度,以减少功率损耗和提高转换效率。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,AO4912可以用来驱动直流电机和无刷电机。其低导通电阻和高电流处理能力使其适合于高效电机控制应用。

    3. 负载开关:AO4912也可以用作负载开关,在电子设备中用于控制各种负载的开关状态。它的低栅极电荷和高可靠性使其成为理想选择。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,AO4912用于电池保护电路和充电控制电路,确保电池在安全电压和电流范围内工作。

    5. 消费电子产品:AO4912广泛应用于智能手机、笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品中,用于电源管理、热管理和保护电路等。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:AO4912的典型导通电阻(RDS(on))在4.5V栅极驱动电压下为9mΩ。这种低导通电阻有助于减少导通损耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:AO4912的连续漏极电流(ID)为60A,脉冲漏极电流(IDM)高达240A,使其能够处理高电流应用。

    - 高耐压:AO4912的漏源极耐压(VDSS)为30V,适合于低压电源系统。

    - 低栅极电荷:AO4912的总栅极电荷(Qg)为54nC,使其在高频开关应用中表现出色,具有快速开关速度和低开关损耗。

    - 热性能优越:AO4912具有良好的热性能,热阻(RθJA)为62.5°C/W,有助于在高功率应用中保持器件的稳定性和可靠性。

    综上所述,AO4912凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压和优越的热性能,成为电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理和消费电子产品等多种应用场景中的理想选择。AO4912不仅能满足高效能和高可靠性的要求,还能有效提升系统的整体性能和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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