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MOS管场效应管AO4807参数

FET 类型2 个 P 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)
(25°C 时)
6A
不同Id,Vgs时的Rds On(最大值)35 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250µA
不同 Vgs时的栅极电荷(Qg)最大值16nC @ 10V
不同Vds时的输入电容Ciss最大值760pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
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    AO4807是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和开关电路中。以下是它的应用场景和参数特点:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO4807作为低电阻、高效率的开关元件,常被用于DC-DC变换器和开关稳压器中,以提供稳定的电源输出。

    2. 电池充放电管理:在移动设备和电动工具等产品中,AO4807可用于控制充电和放电过程,确保电池的安全和高效使用。

    3. LED驱动:由于AO4807具有低导通电阻和高开关速度,可用于LED照明系统中的电流调节和开关控制。

    4. 电机驱动:在电动汽车、无人机等设备中,AO4807可以作为电机驱动电路中的开关元件,实现高效的功率转换和电机控制。

    5. 电源逆变器:在太阳能和风能系统等可再生能源应用中,AO4807可用于构建逆变器,将直流电转换为交流电。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):AO4807具有低的导通电阻,能够降低功率损耗和提高系统效率。

    2. 高耐压能力:该器件具有较高的耐压能力,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种电源系统。

    3. 高开关速度:AO4807的高开关速度使其在高频开关电路中表现优异,有助于减小开关损耗并提高系统响应速度。

    4. 温度稳定性:器件在不同温度下的性能稳定性良好,能够适应各种工作环境的需求。

    5. 可靠性:AO4807经过严格的质量控制和可靠性测试,具有良好的长期稳定性和可靠性,适用于各种工业和商业应用场景。

    在设计电源管理和开关电路时,选择AO4807作为关键元件能够确保系统性能的优异和稳定性的提升。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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