收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » ic集成 » MOS管场效应管AO4600参数

MOS管场效应管AO4600参数

立即咨询


    AO4600是一款高效的N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池保护等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:AO4600在电源管理中,作为负载开关使用,其低导通电阻能够减少功耗,延长电池寿命。同时,AO4600的低栅极电荷特性使其能够快速响应控制信号,在高频应用中展现出优异的性能。

    2. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,AO4600通常用作同步整流器,帮助提高转换效率并减少热量产生。

    3. 电池保护:在移动设备、便携式电子设备中的电池保护电路中,AO4600确保设备在高电流下能够稳定工作。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:AO4600的导通电阻(RDS(on))为20mΩ(在VGS = 10V时),低导通电阻使得功率损耗降至最低,特别是在高电流应用中,减少了发热量,增强了系统的稳定性。

    - 低栅极电荷:低栅极电荷(Qg)为14nC,AO4600能够在更高的开关频率下工作,这对于需要快速响应的电路尤为重要。

    - 封装形式:AO4600的封装形式为SOIC-8,具有较好的散热性能,适合在空间受限的设计中使用。

    综上所述,AO4600凭借其优异的电气性能和广泛的应用领域,成为许多电子设备中不可或缺的元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号