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MOS管场效应管AO4468参数

FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)25°C时10.5A(Ta)
驱动电压最大Rds On最小Rds On4.5V,10V
不同 Id,Vgs时的Rds On最大值14 毫欧 @ 11.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)最大值3V @ 250µA
不同 Vgs时的栅极电荷Qg最大值24nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同Vds时的输入电容Ciss最大值1200pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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    AO4468是双N沟道MOSFET,由于其低导通电阻和高效率而应用于各种电子电路。

    一、应用场景

    1. 电源管理:AO4468在DC-DC转换器、开关电源、配电电路中发挥着重要作用。低导通电阻降低了功耗,使其特别适合具有高频率和效率要求的设计。例如,AO4468适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源管理系统。这些案例对能效有更高的要求,AO4468的低损耗特性有效降低整体功耗、延长电池寿命、降低热设计复杂度。

    2. 负载开关:在负载开关应用中,AO4468可用于控制电源开关状态,广泛应用于智能设备和家用电器中。该器件的导通电阻非常低,可最大限度地降低负载切换期间的功耗,而其高耐压和过压保护功能使其适合用于电池供电的便携式设备,实现稳定的开关性能。

    3. 电机驱动:AO4468还适合驱动无人机、电动工具和家用电器中常用的小型直流电机。高速开关能力提高了电机驱动效率并优化了电机控制响应能力。同时,设备的耐用性和可靠性满足长期运行的要求,有利于提高产品的使用寿命。

    4. 其他常见应用: AO4468还适用于高频电路、照明驱动器和USB-C接口等常见应用。其高可靠性和高效率保证了各种场景下的稳定性和性能,使其适合各种小型、轻量化、高密度的设计电路。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:AO4468具有低导通电阻,典型值为4.5mΩ(VGS=10V时)。低导通电阻不仅可以降低功率损耗,还可以提高系统效率。适用于需要严格功耗管理的设备。

    - 高栅极驱动电压:该器件具有宽栅极驱动电压范围,通常为2.5V至10V。这意味着AO4468在低电压下工作。它可以在所有条件下稳定运行,适合多种应用场合。适用于电源电压波动较大的场合,高压下提供更强的开关能力,电流容量大(高达13A),脉冲模式下电流容量更大,适合大电流应用。

    - 高频开关性能:AO4468具有快速开关速度和低损耗,使其适合高频应用,例如高频DC-DC转换器和高频驱动电路。根据频率环境,该器件可以有效降低开关损耗并提高整体效率。

    - 高温稳定性:AO4468在高温环境下的优异性能使其非常适合需要高响应的电路的高速开关应用。结温可达150°C。这意味着AO4468即使在高温工作条件下也能保持较低的导通损耗和稳定的功率传输,保证整个电路的可靠运行。

    总的来说,AO4468由于其低导通电阻、高频开关性能和宽电压工作范围,适用于各种电源管理、负载开关、电机驱动和通用电子电路。其高效率和稳定性不仅有助于优化电路设计,而且可以在各种应用环境中提供可靠的电流调节。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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