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MOS管场效应管AO4459参数

标准包装3,000
包装标准卷带
零件状态在售
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
FET 类型P 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)25°C时6.5A(Ta)
驱动电压最 Rds On最小Rds On4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的 Rds On最大值46 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)最大值2.5V @ 250µA
不同 Vgs时的栅极电荷Qg最大值16nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同Vds时的输入电容Ciss最大值830pF @ 15V
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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    AO4459是一款P沟道增强型MOSFET,广泛应用于高效开关电源、电池供电设备以及各种需要电源管理的电子系统。由于其优异的电气特性和紧凑的设计,AO4459适用于需要高能效和可靠性的应用。

    一、应用场景

    1.负载开关:AO4459广泛应用于负载智能家居和家用电器,精确控制功耗。您可以在省电模式下降低待机功耗并延长设备的电池寿命。

    2.电源管理:AO4459适用于电池供电的设备,可有效管理电源路径和电池切换,确保设备获得稳定的供电,整体电池可以提高使用效率。

    3.DC-DC转换器:在DC-DC转换电路中,AO4459具有高效的电源转换功能,在各种电压、电流条件下都能稳定工作。非常适合调整功率和电压核心。

    4.电机控制:AO4459广泛用于小型电动工具和家用电器的电机驱动控制。稳定的电流和电压控制使电机平稳启动和停止,保证设备的使用寿命和性能稳定性。

    5.反向电流保护:在某些应用中,AO4459用作反向电流保护器件,防止电路中反向电流连接或反向电流造成的设备损坏,确保系统安全稳定。

    二、参数特点

    - 低导通电阻:AO4459具有低导通电阻,减少了导通时的功率损耗,提高了电路的整体能效。非常适合控制功率损耗。

    - 高电流容量:AO4459具有高电流容量,最大连续漏电流可达50A电流负载,保证器件在高负载条件下稳定工作。

    - 工作电压范围宽:AO4459工作电压范围宽,可工作于-20V至+55V,使其适合多种电源系统,增加设计灵活性,可适应不同的电源系统电压要求。

    - 开关速度快:AO4459的开关速度非常快,可以有效支持高速运行,特别是在需要频繁开关的电路中,有助于提高响应速度和效率。

    - 小型封装:AO4459采用小型封装,有助于集成到空间受限的 PCB 中。其紧凑的设计为小型设备提供了便利,同时减少了 PCB 空间要求并提高了设计灵活性。

    总的来说,AO4459的低导通电阻、高电流容量、宽工作电压范围和快速开关速度使其成为高性能电子产品的理想选择。小封装器件用于负载开关和电源管理,非常适合DC-DC转换、电机驱动和反向电流保护等应用,并有力地支持提高整体设备性能和优化能源效率。因此,AO4459广泛应用于各种需要高效、稳定、可靠性能的场景,是现代电子设计中必不可少的高品质元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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