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场效应MOS管75N3LLH6参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通态电流:37.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    75N3LLH6是一款场效应MOS管,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细探讨75N3LLH6的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:75N3LLH6在开关电源中作为开关元件使用,其高效的开关特性和低导通电阻使其非常适合这一应用。开关电源需要频繁的开关操作,而75N3LLH6的快速开关速度能够有效提高电源的转换效率,减少功率损耗。

    2. 电动汽车控制:在电动汽车中,75N3LLH6常用于电机驱动和电池管理系统。它可以承受高电流和高电压,适应电动汽车严苛的工作环境。其高效的电流传导能力和耐用性,使其在电动汽车应用中非常可靠。

    3. 工业自动化:75N3LLH6在工业自动化设备中也得到了广泛应用,如机器人、变频器等设备。它能够在高频率和高负载的条件下稳定工作,确保设备的高效运行和长寿命。

    4. 消费电子产品:在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,75N3LLH6用于电源管理和电路保护。它的小型化封装和高效能特点,使其适合应用在这些对空间和功耗有严格要求的设备中。

    5. 通信设备:75N3LLH6在通信设备中用于放大和开关电路,确保信号传输的稳定性和高效性。其良好的电气特性和可靠性,使其成为通信设备制造商的首选。

    二、参数特点:

    - 高电流承载能力:75N3LLH6的最大漏极电流可以达到75A,适合高功率应用。其出色的电流承载能力确保了在高负载情况下的稳定性能。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻为6毫欧姆,这意味着在工作时电压降很小,功耗低,能够有效提高电路的整体效率。

    - 高击穿电压:75N3LLH6的漏源击穿电压为30V,能够在较高电压下安全运行。这使得它在需要高电压耐受的应用中非常适用。

    - 快速开关速度:其快速的开关速度使得75N3LLH6非常适合高频开关电路。开关速度快不仅能够提高电路的工作频率,还能减少开关损耗,提升系统的整体效率。

    - 封装形式:75N3LLH6采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,方便安装和使用。这种封装形式在实际应用中非常普遍,适合各种需要良好散热和机械固定的场合。

    综上所述,75N3LLH6是一款性能优越的场效应MOS管,广泛应用于各种需要高效能和高可靠性的电子设备中。其高电流承载能力、低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特点,使其成为开关电源、电动汽车、工业自动化、消费电子和通信设备等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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