正向电流IF(mA) | 60 mA |
峰值电流IFM(A) | 3 A |
反向电压VR(V) | 6 V |
功耗P(mW) | 120 mW |
集电极发射电压VECO(V) | 30V |
发射机电极电压VECO(V) | 7V |
集电极电流IC(mA) | mA |
集电极功耗PC(mW) | 150 mW |
一、应用场景:
1. 工业自动化:4N25M常用于隔离传感器信号和控制电路,以防止干扰和提高系统稳定性。比如,用于隔离温度传感器、光耦开关等。
2. 医疗设备:医疗设备对信号的稳定性和安全性要求较高,4N25M可用于隔离生理信号、控制信号等,确保设备的可靠性和安全性。
3. 通信设备:在通信设备中,4N25M可用于隔离不同电路之间的信号,如隔离模拟信号和数字信号,以及隔离输入输出端口,保护设备免受电气干扰和过载的影响。
4. 电力电子:在电力电子领域,4N25M常用于隔离控制信号和功率电路,如隔离控制电路与功率开关电路之间的信号,以保护控制电路免受高压干扰。
5. 汽车电子:在汽车电子系统中,4N25M可用于隔离汽车内部不同系统之间的信号,确保各个系统之间的独立运行,提高汽车的稳定性和安全性。
二、参数特点:
1. 高隔离电压:4N25M具有较高的隔离电压,通常可达数千伏,能够有效隔离输入和输出电路,确保信号的稳定传输。
2. 快速响应时间:4N25M的光耦合速度快,响应时间短,能够快速传输信号,适用于需要快速响应的场景。
3. 宽工作温度范围:4N25M具有较宽的工作温度范围,通常可在-40°C至+85°C范围内正常工作,适用于各种环境条件下的应用。
4. 小封装尺寸:4N25M采用小型封装,体积小巧,适合于空间受限的应用场景,提高了电路的集成度和灵活性。
5. 低功耗:4N25M具有较低的功耗特性,能够节省能源并减少系统发热,有利于提高系统的稳定性和可靠性。
通过对4N25M的应用场景和参数特点的详细了解,我们可以更好地选择和应用这一光耦合器件,以满足不同电路和系统的需求,提高设备的性能和可靠性。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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