产品种类 | MOSFET |
技术 | Si |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/箱体 | SO-8 |
通道数量 | 2Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 60V |
Id-连续漏极电流 | 4A |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55mOhms |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1V |
Vgs-栅极-源极电压 | 10V |
Qg-栅极电荷 | 15nC |
最小工作温度 | -55C |
最大工作温度 | +150C |
配置 | DualDualDrain |
Pd-功率耗散 | 2W |
通道模式 | Enhancement |
封装 | CutTape |
封装 | Reel |
高度 | 1.65mm |
长度 | 5mm |
系列 | N-channelSTripFET |
晶体管类型 | 2N-ChannelPowerMOSFET |
类型 | PowerMOSFET |
宽度 | 4mm |
正向跨导-最小值 | 25S |
下降时间 | 10ns |
产品类型 | MOSFET |
上升时间 | 28ns |
工厂包装数量 | 2500 |
子类别 | MOSFETs |
典型关闭延迟时间 | 45ns |
典型接通延迟时间 | 15ns |
单位重量 | 85mg |
一、应用场景
1.开关电源电路:STS4DNF60L在开关电源电路中得到了广泛应用,特别是在DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和逆变器等领域。由于该器件具备低导通电阻和高开关速度的特点,它能够有效提高电源转换效率,降低功耗。
2.电机驱动应用:在电机驱动应用中,STS4DNF60L能够实现高效的电流控制,减少热量产生,并且在高电流情况下仍能保持稳定的性能,这使得它在电动工具、风扇和电动汽车驱动系统中得到了广泛应用。
3.太阳能光伏系统:STS4DNF60L在太阳能光伏系统中也有重要作用,它能够在光伏逆变器中提供高效的功率管理,从而提高整体系统的能效。
二、参数特点
- 漏源电压(Vds):STS4DNF60L的漏源电压为60V,意味着它可以承受较高的电压而不损坏,非常适合需要处理高电压的应用。
- 导通电阻(Rds(on)):STS4DNF60L的导通电阻仅为44mΩ,这一低阻值在高电流应用中可以显著减少功率损耗,提升系统的效率。
- 最大漏极电流(Id):STS4DNF60L的最大漏极电流为4A,适合中等功率的电流控制应用,如电机驱动和电源管理。
- 栅极电荷(Qg):STS4DNF60L的栅极电荷仅为16nC,这使得它在高频开关应用中表现出色,能够快速切换,从而减少切换损耗。
- 工作结温(Tj):STS4DNF60L的工作结温最高可达175°C,确保在高温环境下仍能稳定工作,适用于需要耐高温的工业和汽车应用。
通过以上详细的分析,可以看出STS4DNF60L凭借其卓越的电气参数和广泛的应用场景,成为了许多电子设计工程师的首选。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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