收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » ic集成 » MOSFET场效应晶体管STS4DNF60L参数

MOSFET场效应晶体管STS4DNF60L参数

产品种类MOSFET
技术Si
安装风格SMD/SMT
封装/箱体SO-8
通道数量2Channel
晶体管极性N-Channel
Vds-漏源极击穿电压60V
Id-连续漏极电流4A
RdsOn-漏源导通电阻55mOhms
Vgsth-栅源极阈值电压1V
Vgs-栅极-源极电压10V
Qg-栅极电荷15nC
最小工作温度-55C
最大工作温度+150C
配置DualDualDrain
Pd-功率耗散2W
通道模式Enhancement
封装CutTape
封装Reel
高度1.65mm
长度5mm
系列N-channelSTripFET
晶体管类型2N-ChannelPowerMOSFET
类型PowerMOSFET
宽度4mm
正向跨导-最小值25S
下降时间10ns
产品类型MOSFET
上升时间28ns
工厂包装数量2500
子类别MOSFETs
典型关闭延迟时间45ns
典型接通延迟时间15ns
单位重量85mg
立即咨询


    STS4DNF60L是一款广泛应用于各种电子电路中的功率MOSFET(场效应管),其卓越的性能使其成为许多高要求应用的理想选择。

    一、应用场景

    1.开关电源电路:STS4DNF60L在开关电源电路中得到了广泛应用,特别是在DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和逆变器等领域。由于该器件具备低导通电阻和高开关速度的特点,它能够有效提高电源转换效率,降低功耗。

    2.电机驱动应用:在电机驱动应用中,STS4DNF60L能够实现高效的电流控制,减少热量产生,并且在高电流情况下仍能保持稳定的性能,这使得它在电动工具、风扇和电动汽车驱动系统中得到了广泛应用。

    3.太阳能光伏系统:STS4DNF60L在太阳能光伏系统中也有重要作用,它能够在光伏逆变器中提供高效的功率管理,从而提高整体系统的能效。

    二、参数特点

    - 漏源电压(Vds):STS4DNF60L的漏源电压为60V,意味着它可以承受较高的电压而不损坏,非常适合需要处理高电压的应用。

    - 导通电阻(Rds(on)):STS4DNF60L的导通电阻仅为44mΩ,这一低阻值在高电流应用中可以显著减少功率损耗,提升系统的效率。

    - 最大漏极电流(Id):STS4DNF60L的最大漏极电流为4A,适合中等功率的电流控制应用,如电机驱动和电源管理。

    - 栅极电荷(Qg):STS4DNF60L的栅极电荷仅为16nC,这使得它在高频开关应用中表现出色,能够快速切换,从而减少切换损耗。

    - 工作结温(Tj):STS4DNF60L的工作结温最高可达175°C,确保在高温环境下仍能稳定工作,适用于需要耐高温的工业和汽车应用。

    通过以上详细的分析,可以看出STS4DNF60L凭借其卓越的电气参数和广泛的应用场景,成为了许多电子设计工程师的首选。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号