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场效应MOS管2SK526参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK526是一种N沟道增强型功率MOSFET,被广泛应用于各种电子设备和电路中。以下将详细介绍2SK526的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:2SK526在开关电源中发挥重要作用,特别是在高频高效的DC-DC转换器中。其快速开关特性和低导通电阻使其在电源转换过程中减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 电动机驱动:2SK526常用于电动机驱动电路中,尤其适用于直流电动机的速度控制和开关控制。其高电流处理能力和耐高压特性确保了电动机运行的稳定性和可靠性。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,2SK526作为功率开关元件,能够高效地将直流电转换为交流电。其快速的开关速度和耐高压特性使其在逆变器电路中表现出色,广泛用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。

    4. 音频放大器:2SK526也被用于音频放大器电路中。由于其低导通电阻和高开关速度,可以实现高效能的音频信号放大,保证输出音质的清晰度和稳定性。

    5. 家用电器:2SK526在各种家用电器中,如微波炉、洗衣机和空调等,发挥着至关重要的作用。其可靠的电流和电压处理能力,确保家用电器的高效运行和长寿命。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:2SK526的漏源电压(V_DS)最高可达500V,漏极连续电流(I_D)为5A。这意味着它可以处理较高的电压和电流,使其适用于各种高功率应用场景。

    - 低导通电阻:2SK526的导通电阻(R_DS(on))非常低,仅为1.5Ω(最大值)。低导通电阻减少了功率损耗,提高了整体电路的效率,特别是在高频开关应用中表现尤为突出。

    - 快速开关速度:2SK526具有较快的开关速度,其开通时间(t_on)和关断时间(t_off)分别为10ns和50ns左右。这一特性使其在高频应用中能够迅速响应,有效减少开关损耗。

    - 栅极电压:2SK526的栅极-源极电压(V_GS)范围为±20V,这使得它在栅极驱动时具有较大的设计灵活性和可靠性。不同的栅极驱动电压可以实现对漏源电流的精确控制。

    - 热性能:2SK526的结温(T_j)最高可达150°C,具有良好的热稳定性和散热性能。这意味着即使在高功率密度和高温环境中,它仍能保持稳定的工作状态,延长器件的使用寿命。

    综上所述,2SK526是一款性能优异的N沟道增强型功率MOSFET,凭借其高电压高电流处理能力、低导通电阻、快速开关速度和优良的热性能,被广泛应用于开关电源、电动机驱动、逆变器、音频放大器以及各类家用电器中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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