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场效应MOS管2SK4104参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK4104是一种常用于电力电子设备中的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):2SK4104在开关电源中常用于高速开关转换器,可以实现高效率的电能转换。由于其低导通电阻和高击穿电压特性,能够有效地减少功率损耗。

    2. 电机控制:在各种电机驱动电路中,2SK4104被用作功率开关器件。它能够承受较大的电流和电压,适用于直流电机和步进电机的控制,提供稳定和可靠的驱动。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统(Battery Management Systems, BMS)中,2SK4104用于保护电池组,防止过充电和过放电。它的快速响应能力确保了电池的安全和寿命。

    4. DC-DC转换器:2SK4104在DC-DC转换器中作为主要开关器件,能够有效提高转换效率,适用于需要稳定电压输出的各种电子设备。

    5. 逆变器(Inverter):在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,2SK4104常被用作逆变电路中的开关器件,提供高效的电能转换和稳定输出。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:2SK4104的漏源击穿电压(BVDSS)为900V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压开关电路和逆变器应用。

    - 低导通电阻:在VGS=10V的条件下,2SK4104的导通电阻(RDS(on))仅为4.0Ω。这一特点使其在导通状态下能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    - 高脉冲电流能力:2SK4104能够承受高达4A的脉冲漏极电流(IDM),这意味着它可以在高负载条件下短时间内提供较大的电流输出,适应各种瞬态负载需求。

    - 快速开关速度:2SK4104具有较快的开关速度,其典型的开关时间为几十纳秒级。这一特性使得它在高速开关电源和高频DC-DC转换器中表现出色。

    - 热稳定性:2SK4104的最大结温(Tj)为150°C,具有较好的热稳定性,能够在高温环境下长时间可靠工作。这对提高系统的可靠性和寿命至关重要。

    综上所述,2SK4104是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种高要求的电子电路。从开关电源到电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器和逆变器,2SK4104都能提供高效、可靠的电能转换和控制,是电力电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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