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场效应MOS管2SK4014参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK4014是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:2SK4014常用于电源管理电路中,特别是在开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器中,能够高效地控制电流和电压。其低导通电阻和快速开关速度使其在这些应用中表现出色,能有效减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,2SK4014被用于控制电机的启停和速度调节。其高电流承载能力和耐压性能,能够满足各种电机驱动应用的需求,如电动工具、电动车辆和工业自动化设备。

    3. 保护电路:2SK4014也被广泛应用于过流保护和过压保护电路中。当系统出现异常情况时,它能够快速响应并切断电流,保护其他元器件免受损坏。其高开关速度和低栅极电荷使其在保护电路中具备优异的性能。

    4. 负载开关:在负载开关应用中,2SK4014用于控制各种电子负载的通断,如照明设备、加热器和风扇等。其低导通电阻能够减少功率损耗,同时其耐高压特性保证了在高电压环境下的可靠性。

    5. 通信设备:在通信设备中,2SK4014常用于射频功率放大器和天线开关等电路中。其低导通电阻和高频特性使其在这些应用中表现优越,能够有效提高信号传输效率和系统性能。

    二、参数特点:

    1. 最大漏源电压(Vds):2SK4014的最大漏源电压为60V。这使得它能够在中高压应用中稳定工作,适用于各种电源和负载控制电路。

    2. 导通电阻(Rds(on)):在10V栅极驱动电压下,2SK4014的导通电阻低至0.022Ω。低导通电阻有助于减少导通损耗,提高系统的能效。

    3. 最大漏极电流(Id):2SK4014能够承载的最大漏极电流为50A,这意味着它可以在高电流应用中使用,如电机驱动和电源管理电路。

    4. 栅极电荷(Qg):2SK4014的总栅极电荷为65nC,这使得它在高频开关应用中具备快速开关能力,有助于提高系统的工作频率和效率。

    5. 工作结温范围:2SK4014的工作结温范围为-55°C到175°C,宽广的温度范围使其能够在各种严苛环境下稳定运行,适用于工业和汽车等应用领域。

    综上所述,2SK4014是一款性能优异的N沟道增强型MOSFET,其在电源管理、电机驱动、保护电路、负载开关和通信设备等多个应用场景中都有广泛的应用。其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度,使得2SK4014在提高系统效率和可靠性方面发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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