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场效应MOS管2SK3868参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK3868是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。以下将从应用场景和参数特点两个方面详细介绍2SK3868的内容。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:2SK3868常用于电源管理电路中,特别是DC-DC转换器和AC-DC电源。由于其出色的导通电阻和开关特性,可以有效地提升电源效率,减少功率损耗,从而提高整体系统的性能和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,2SK3868也有广泛应用。其高电流处理能力和快速开关特性使其能够有效地控制电机的启停和转速,广泛应用于工业自动化设备和家用电器中。

    3. 照明系统:2SK3868在LED照明系统中也是常见的选择。其低导通电阻和高效率的特性使其在LED驱动电路中表现出色,能够提供稳定的电流输出,确保LED灯具的亮度和寿命。

    4. 逆变器和不间断电源(UPS):逆变器和UPS系统中,2SK3868发挥着重要作用。其高耐压和大电流处理能力使其能够稳定地转换和调节电能,确保系统在不同负载条件下的正常运行。

    5. 通信设备:在通信设备中,2SK3868被用于各种射频和微波电路,帮助实现信号的放大和传输。其高频性能和低噪声特性,使其在通信领域具有显著的优势。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:2SK3868具有极低的导通电阻,这使得在高电流通过时产生的功耗较小,提升了整体电路的效率。例如,其典型导通电阻值为0.055欧姆,在实际应用中可以显著降低导通损耗。

    - 高电流处理能力:2SK3868的最大漏极电流(ID)可达30安培,这使其能够处理大电流负载,适用于需要高功率输出的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 高耐压特性:2SK3868的漏源极电压(VDS)最大值为500伏,这意味着它可以在高电压环境下稳定工作,适用于工业和电力电子设备中的高压应用。

    - 快速开关特性:2SK3868具有极快的开关速度,其典型的栅极电荷(Qg)为60纳库伦,这使其能够在高频应用中表现出色,减少开关损耗,提高效率。

    - 热性能优越:2SK3868具备良好的热性能,其结温最高可达150摄氏度,这使其在高温环境下也能稳定运行,适用于恶劣的工业环境和高温操作条件。

    综上所述,2SK3868凭借其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压、快速开关和优越的热性能,成为各类电子设备和电源管理系统中的理想选择。在未来的发展中,2SK3868将继续发挥其重要作用,推动电子技术的进步和应用的广泛拓展。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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