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场效应MOS管2SK3844参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:45AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.0058ΩVRDS(ON)ld通态电流:23AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK3844是一种N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:2SK3844常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为开关元件。它的高效率和低导通电阻使其在这些应用中非常受欢迎,能够有效减少能量损耗,提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,2SK3844经常被用作电机驱动器的开关元件。它能够快速开关,提供稳定的电流输出,从而实现精确的电机控制。

    3. 负载开关:2SK3844也被用作负载开关,用于控制各种负载的通断。在工业控制和自动化设备中,它的高可靠性和低功耗特性使其成为理想选择。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,2SK3844作为输出级的开关元件,能够提供高质量的音频信号放大。其低噪声特性使得音频放大器的音质更加纯净。

    5. 逆变器:2SK3844常用于逆变器电路中,尤其是在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。其高效率和高功率密度使得这些设备能够更好地利用能源,提供稳定的电力输出。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(V_DS):2SK3844的击穿电压高达600V,这意味着它能够承受高电压环境,适用于需要高电压操作的应用场景。

    - 导通电阻(R_DS(on):2SK3844的导通电阻非常低,仅为1.6Ω(最大值),这确保了在开关状态下的低能量损耗,提升了整体电路的效率。

    - 漏极电流(I_D):2SK3844的最大漏极电流为3A,这使得它能够处理较大的电流,适用于高功率应用。

    - 栅极电荷(Q_g):2SK3844的栅极电荷为27nC,这一低栅极电荷特性使其能够实现快速的开关速度,适合高频开关电路。

    - 封装形式:2SK3844采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,便于安装和使用,适合需要高散热能力的应用。

    通过以上描述,可以看出2SK3844具备了许多优良的特性,使其在各种应用中都能表现出色。这些特点不仅提升了电路的性能,还增加了设备的可靠性和使用寿命。在选择N沟道MOSFET晶体管时,2SK3844是一个非常值得考虑的型号。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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