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场效应MOS管2SK3562参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK3562是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍2SK3562的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:2SK3562在开关电源中具有重要应用。它能够承受高电压和高电流,具备快速开关特性,减少能量损耗,提高电源效率。在电脑、电视和工业电源等设备中,经常采用2SK3562来实现高效电源管理。

    2. 电机控制:在电机驱动和控制电路中,2SK3562常用于控制电机的启停和速度调节。其高效的电流控制能力和低导通电阻,使其在直流电机和无刷电机应用中表现出色,保证了电机运行的稳定性和高效性。

    3. 功率放大器:在音频功率放大器中,2SK3562用作输出级的功率管。其低导通电阻和高电流能力,使得功率放大器能够输出更大的功率,提升音质和音量。这类应用包括家庭音响系统和汽车音响系统等。

    4. 光伏逆变器:光伏系统中,2SK3562用于直流到交流的逆变过程。其高效的转换能力和高可靠性,使其在逆变器中发挥重要作用,提升光伏系统的整体效率和可靠性。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,2SK3562用于控制充放电过程。它能够有效地管理电池的能量流动,防止过充或过放现象的发生,延长电池寿命,确保设备的安全性。

    二、参数特点:

    1. 最大漏极-源极电压(Vds):2SK3562的最大Vds为400V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压应用场景。

    2. 最大漏极电流(Id):2SK3562的最大Id为12A,这意味着它可以处理较大的电流,适用于高功率应用。

    3. 导通电阻(Rds(on):2SK3562的典型导通电阻为0.65Ω,低导通电阻减少了功耗,提高了整体效率。

    4. 栅极-源极电压(Vgs):2SK3562的最大Vgs为±30V,这为设计提供了灵活性,能够在不同的驱动电压下稳定工作。

    5. 开关速度:2SK3562具有快速开关特性,开关时间在几十纳秒量级,使其在高频开关电路中表现优异。

    综上所述,2SK3562作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其优越的电气特性和广泛的应用场景,成为许多电子工程师的首选元件。在实际应用中,2SK3562能够显著提升系统的性能和可靠性,满足各种复杂应用需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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