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场效应MOS管2SK3313参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.62ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK3313是一种常见的N沟道增强型MOSFET,被广泛应用于多种电子电路中。由于其特性,这种晶体管常用于以下几个领域:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中,2SK3313因其低导通电阻和高开关速度,可以有效提高转换效率和减少功耗。

    2. 电机驱动:2SK3313适用于小型电机控制电路,特别是在需要快速响应和高效能的场合。它能够提供稳定的电流驱动能力,从而确保电机的平稳运行。

    3. 音频放大器:在音频放大电路中,2SK3313因其低噪声特性和良好的线性度,被用于高保真音频设备中,确保音频信号的纯净和高质量输出。

    4. 照明控制:在LED驱动和调光电路中,2SK3313的高效能和低损耗特性,使其成为控制和驱动LED光源的理想选择,尤其是在高亮度和长寿命要求的照明应用中。

    5. 保护电路:2SK3313常用于各种过流、过压保护电路中,其快速的响应能力能够有效保护敏感电子元件免受损害。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(Vds):2SK3313的最大漏源极电压为60V。这意味着它可以在60V以内的电路中安全工作,适用于中低压应用。

    - 最大漏极电流(Id):2SK3313的最大连续漏极电流为20A,瞬间峰值电流可以达到80A。这使得它能够在需要大电流的应用中,提供稳定和可靠的电流输出。

    - 导通电阻(Rds(on)):在10V栅极电压下,2SK3313的典型导通电阻为0.022Ω。低导通电阻意味着在工作时的功耗较低,能效较高。

    - 栅极电荷(Qg):2SK3313的总栅极电荷为60nC。这一参数决定了其开关速度,低栅极电荷使得它能快速响应控制信号,非常适合高速开关应用。

    - 热阻(Rth):2SK3313的热阻为1.25℃/W(结到壳)。良好的热性能确保在大电流工作时,器件能有效散热,保持稳定运行。

    综上所述,2SK3313以其高效、低损耗和快速响应等特点,被广泛应用于电源管理、电机驱动、音频放大、照明控制和保护电路等多个领域,成为电子设计中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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