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场效应MOS管2SK3126参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:450VRDS(ON)Ω内阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~3.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK3126是一种常用的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:2SK3126常用于开关电源的主开关管。其高效能和快速开关特性使其在高频率的电源转换中表现出色,有助于提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电动机控制中,2SK3126用于控制电动机的开启和关闭,提供平稳的电流控制。这在工业自动化设备和家用电器中十分常见。

    3. 功率放大器:2SK3126也被用于音频功率放大器中,作为输出级的功率放大元件。它能够提供高功率输出和低失真率,确保音质的高保真。

    4. DC-DC转换器:在各种DC-DC转换器电路中,2SK3126因其低导通电阻和高效能而被广泛应用,特别是在需要高效率和低功耗的便携设备中。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,2SK3126用于电池充放电控制。其高精度和可靠性确保电池的安全和寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):2SK3126的导通电阻非常低,通常在毫欧姆级别。这意味着在导通状态下,它能够承受较大的电流,而自身的功耗较低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高击穿电压:2SK3126具有较高的击穿电压,通常在600V以上。这使其在高压应用中也能稳定运行,不易被击穿损坏。

    - 高脉冲电流能力:2SK3126能够承受高脉冲电流,适用于需要瞬时高电流的应用场景,如电机启动和突发性负载的场合。

    - 快速开关速度:2SK3126的开关速度非常快,这对于高频率的开关电源和DC-DC转换器来说是一个重要的特性,有助于减少开关损耗和提高转换效率。

    - 良好的热性能:2SK3126具有优良的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其热阻较低,有助于在高功率应用中保持低温度,延长器件寿命。

    综上所述,2SK3126作为一种高效能的N沟道功率MOSFET,凭借其低导通电阻、高击穿电压、高脉冲电流能力、快速开关速度和良好的热性能,被广泛应用于开关电源、电机驱动、功率放大器、DC-DC转换器和电池管理系统等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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