收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管2SK2508参数

场效应MOS管2SK2508参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.5~3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

立即咨询


    2SK2508是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:2SK2508常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,发挥关键开关作用,以实现高效的电能转换。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,2SK2508常作为功率开关元件,能够有效控制电机的启停和转速调整。

    3. 音频放大器:在音频功放电路中,2SK2508能提供高电流和高电压驱动能力,确保音频信号的高保真放大。

    4. 太阳能逆变器:2SK2508在太阳能发电系统中,尤其是在逆变器电路中,起着将直流电转换为交流电的重要作用。

    5. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和电力驱动模块中,2SK2508用于高效能量转换和控制,以提升整体系统性能。

    二、参数特点:

    - 击穿电压:2SK2508的漏源击穿电压(Vds)为500V,使其能够承受较高电压,适用于高压环境。

    - 导通电阻:该器件的典型导通电阻(Rds(on))为1.5Ω,这一较低的导通电阻能够减少导通损耗,提高电路效率。

    - 漏极电流:2SK2508的最大连续漏极电流(Id)为5A,短脉冲电流则可达到20A,具备强劲的电流驱动能力。

    - 栅极电荷:2SK2508的总栅极电荷(Qg)约为50nC,这意味着其在开关操作中需要较少的驱动电流,能实现快速开关。

    - 封装形式:2SK2508采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合在需要高可靠性和稳定性的应用中使用。

    综上所述,2SK2508因其优异的电气性能和可靠的封装形式,广泛应用于各种电源管理、电机驱动、音频放大及新能源领域,成为工程师们在设计高效能电子系统时的重要选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号