PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:180VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:1.8~2.8VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:2SK2013可用于通信设备的功率放大和信号处理,保证设备的高效、稳定传输。
2. 医疗电子:在医疗设备中,2SK2013可以用于控制和调节电流,确保设备的精准运行。
3. 车载电子:在汽车电子系统中,2SK2013常用于电动汽车充电桩和车载电池管理系统。
4. 工业自动化:在工业自动化控制系统中,2SK2013可用于驱动电机、控制温度和湿度等应用。
5. 航空航天:在航空航天领域,2SK2013常用于飞行器的控制和导航系统。
二、参数特点:
1. 低导通电阻: 2SK2013具有较低的导通电阻,能够实现高效的功率传输。
2. 高输入阻抗:作为MOSFET,2SK2013具有高输入阻抗,减少对输入信号源的负载影响。
3. 快速开关特性:2SK2013具有快速的开关特性,适用于高频率开关电路。
4. 低噪声:2SK2013内部噪声水平低,适用于对噪声敏感的应用。
5. 高耐压:作为功率器件,2SK2013具有较高的耐压能力,保证电路的可靠性。
通过对2SK2013的应用场景和参数特点的深入了解,我们可以更好地选择和设计电路,并充分发挥其在各种应用中的优势。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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