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场效应MOS管2SK2013参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:180VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:1.8~2.8VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    2SK2013是一种场效应晶体管(MOSFET),通常应用于各种电路中,特别是在放大、开关和调节电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:2SK2013可用于通信设备的功率放大和信号处理,保证设备的高效、稳定传输。

    2. 医疗电子:在医疗设备中,2SK2013可以用于控制和调节电流,确保设备的精准运行。

    3. 车载电子:在汽车电子系统中,2SK2013常用于电动汽车充电桩和车载电池管理系统。

    4. 工业自动化:在工业自动化控制系统中,2SK2013可用于驱动电机、控制温度和湿度等应用。

    5. 航空航天:在航空航天领域,2SK2013常用于飞行器的控制和导航系统。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: 2SK2013具有较低的导通电阻,能够实现高效的功率传输。

    2. 高输入阻抗:作为MOSFET,2SK2013具有高输入阻抗,减少对输入信号源的负载影响。

    3. 快速开关特性:2SK2013具有快速的开关特性,适用于高频率开关电路。

    4. 低噪声:2SK2013内部噪声水平低,适用于对噪声敏感的应用。

    5. 高耐压:作为功率器件,2SK2013具有较高的耐压能力,保证电路的可靠性。

    通过对2SK2013的应用场景和参数特点的深入了解,我们可以更好地选择和设计电路,并充分发挥其在各种应用中的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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