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场效应MOS管2SJ529S参数

PD最大耗散功率:20WID最大漏源电流:-10AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.16ΩVRDS(ON)ld通态电流:--5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    2SJ529S是一款P沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。它的设计使其在许多高效电源管理和电路保护应用中表现出色。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:2SJ529S常用于直流电源开关电路中。它可以快速切换,从而实现高效的电源管理。这在电池供电的便携设备中尤为重要,因为它可以显著延长电池寿命。

    2. 负载开关:在消费电子产品如智能手机和平板电脑中,2SJ529S被用作负载开关,用于控制不同组件的电源供应,从而优化设备的能效表现。

    3. 电机驱动:由于其低导通电阻和高电流处理能力,2SJ529S适用于小型直流电机的驱动应用,广泛用于打印机、风扇等设备中。

    4. 保护电路:2SJ529S还用于过流保护和过压保护电路中。其快速响应特性使其能够有效保护敏感的电子组件免受电流冲击和电压尖峰的损害。

    5. 功率调节:在光伏逆变器和电动汽车充电器等需要精确功率调节的设备中,2SJ529S发挥着重要作用,通过调节电流流动来优化设备性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):2SJ529S的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,电能损耗较小,能够实现更高的效率和更低的发热量。

    - 高电流处理能力:2SJ529S能够处理较大的电流,具体参数显示其最大漏极电流可达数十安培,这使其能够满足高功率应用的需求。

    - 耐高压:2SJ529S具有较高的漏源极耐压值,通常在几十伏特范围内,这使其能够在高压环境中稳定工作。

    - 快速开关速度:2SJ529S具有快速的开关速度,这对于需要快速响应的电源管理和保护电路应用来说是一个显著优势。

    - 可靠性和稳定性:2SJ529S在不同的温度和工作条件下都表现出极高的稳定性和可靠性,适用于各种严苛的工作环境。

    综上所述,2SJ529S凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景,在现代电子设备中占据了重要地位。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压和快速开关速度使其成为电源管理、负载开关、电机驱动、保护电路和功率调节等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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