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场效应MOS管2SJ516参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:-6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-250VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:-3VRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1.5~-3.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-100μA

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    2SJ516是一种P沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:2SJ516常用于开关电源中,作为电源开关或电压调节器的一部分。它能够高效地控制电流的通断,从而实现稳定的电压输出,适用于计算机电源、工业电源和通信电源等领域。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,2SJ516可以用来控制电机的启动和停止。其低导通电阻和高速度开关特性,使得电机驱动更加高效和精确,广泛应用于家用电器、电动工具和工业自动化设备。

    3. 负载开关:2SJ516在负载开关应用中表现出色,可用于切换不同的负载,如LED灯、加热器等。这种应用场景要求器件能够在高电流和高电压条件下稳定工作,2SJ516能够很好地满足这些要求。

    4. 直流-直流转换器:2SJ516常用于DC-DC转换器中,用于实现不同电压等级之间的转换。它的高效率和低损耗特性,使得电源转换过程更加节能,适用于便携式设备和可再生能源系统。

    5. 保护电路:2SJ516还可用于过电流保护和短路保护电路中。当电流超过安全值时,MOSFET能够迅速切断电路,保护电子设备免受损坏。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:2SJ516的导通电阻非常低,在Vgs=-10V时典型值为0.09欧姆。这意味着在导通状态下,它的功耗非常低,有助于提高整体系统的效率。

    - 高耐压性:2SJ516的漏源电压(Vds)最大值为-60V,能够承受较高的电压,适用于需要高电压处理能力的应用场景。

    - 大电流能力:其漏极电流(Id)最大值为-10A,表明2SJ516能够处理较大的电流,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:2SJ516的开关速度非常快,能够在数纳秒内完成开关动作。这使其在需要快速响应的应用中表现优越,如高频开关电源和脉冲电路。

    - 高可靠性:2SJ516采用先进的制造工艺,具有高可靠性和长寿命。在严苛的工作环境下,它能够稳定运行,减少了维护和更换的频率。

    综上所述,2SJ516在这些方面的卓越表现,使其成为电子工程师们设计高效可靠电子系统的首选器件。通过优化其应用场景和参数特点,可以充分发挥2SJ516的优势,提升电子产品的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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