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[行业资讯]SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 13:39 ]: SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕SPD02N50C3中文参数,SPD02N50C3封装引脚图,SPD02N50C3数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SPD02N50C3场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：560V栅源电压(VGSS)：±20V雪崩电流(IAR)：1.8A漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：1.8A漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID)：1.1A漏极电流-脉冲(IDPlus)：5.; http://www.szyxwkj.com/Article/spd02n50c3_1.html

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