SPD02N50C3场效应管参数 (MOS管) SPD02N50C3规格书参数代换〔壹芯微〕
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SPD02N50C3场效应管主要参数(最大额定值):
漏源电压(VDSS):560V
栅源电压(VGSS):±20V
雪崩电流(IAR):1.8A
漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):1.8A
漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1.1A
漏极电流-脉冲(IDPlus):5.4A
单脉冲雪崩能量(EAS):50mJ
重复雪崩能量(EAR):0.07mJ
二极管恢复峰值(dv/dt):15V/ns
功耗(TC=25°C)(Ptot):25W
工作与贮存温度范围(Tj,Tstg):-55~+150°С
热阻-结到外壳(RθJC):5°C/W
热阻-结到环境(RθJA):75°C/W
焊接的最高引线温度(Tsold):260°С
SPD02N50C3场效应管封装规格:
PTO252-3-1,TO252-3-11,TO252-3-21(D-PAK)
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