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[行业资讯]SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕[ 2021-12-21 11:58 ]: SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕SDU05N04中文参数,SDU05N04封装引脚图,SDU05N04数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)SDU05N04场效应管主要参数（最大额定值）：漏源电压(VDSS)：400V栅源电压(VGSS)：±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID)：4A漏极电流-连续(TJ=70°C)(ID)：3.3A漏极电流-脉冲(IDM)：12A单脉冲雪崩能量(EAS)：2.5mJ功耗(TC=25°; http://www.szyxwkj.com/Article/sdu05n04cx_1.html

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