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[常见问题解答]MOS管高端驱动电路及调压电路介绍[ 2023-03-19 16:08 ]

MOS管高端驱动电路及调压电路介绍MOS驱动，有几个特别的需求这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。于是有了一个相对通用的电路来满足这三种需求。电路图如下：图1 用于NMOS的驱动电路图2 用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl

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[常见问题解答]5V供电电源过压保护电路解析[ 2023-03-06 17:59 ]

给大家分享解析一个5V供电电源过压保护电路。这个电路用到一个三极管，一个稳压管，一个MOS管，三个电阻，大家可以自己先看一下这个电路，后面给大家分具体步骤解析。输入<5.1V如图，当VIN输入电压小于5.1V时的情况，假定输入5V，稳压管导通电压为5.1V，所以稳压管D1不导通，因此三极管Q2就不会导通，接着MOS管Q1的栅极就会被R3拉到0V,P-MOS,Vgs=-5V,p-MOS管导通**,**此时Vout会正常输出5V.5.1V<输入<5.7V此时电源供给一个5.3V左右的电压，稳压管D1导

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[常见问题解答]boost电路的基本原理及控制环路分析[ 2023-03-05 13:19 ]

1、boost变换器的工作原理在说明反极性变换器之前，我们先说一下开关电源的工作原理，开关电源的作用主要是用于适配不同电平标准的器件，有升压电路（boost变换，step up）和降压电路（step down）。具体用于什么情形取决于电路工作的场景。如图1是一种典型的开关升压电路，它使用与当电源输入电压较低，不足以驱动下级负载时，用于提升电压以适配下级电压。图1 升压电路（电路本身需要升压，所以要求V0>Vin）这里假定mos管（N沟道增强型）为理想mos管，且D4为理想二极管（正向导通压降为0，反向雪崩电压

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[常见问题解答]如何判断NMOS管和PMOS管[ 2023-03-04 12:14 ]

MOS管的管脚有三个：源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain)，但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。MOS管有两种：一个是PMOS管，一个是NMOS管；PMOS管就是positive管，是积极的管，而NMOS管是negative管，是消极的管。积极的管就是顺应潮流，顺势而为；消极的管就是违背趋势，逆流而上。很显然，电流从源极(输入端)到漏极(输出端)，那就是顺势而为，因为源极就是源头嘛，因此这种管就是PMOS管；而电流要是从漏极(输入端)

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[常见问题解答]Buck降压型开关稳压器自举电路详解[ 2023-03-03 12:24 ]

在Buck开关中,常使用N-MOS管作为功率开关管。相比于P-MOS,N-MOS具有导通电阻低价格便宜且流过电流较大等优势。在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式：上管为P-MOS,下管为N-MOS；无需外部自举电路上下管均为N-MOS；需要外部自举电路从上图可知，由于N-MOS导通条件是栅极电压比源极电压高。对于上管而言必须增加自举电路才能保证上管完全导通。下面就介绍下自举电路原理：①当上管关断下管打开时，开关节点处的电压拉低到GND。这时内部电源通过二极管给电容进行充电。②当上管打开下管关断时，开关节点电压

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[常见问题解答]电源防反接电路介绍[ 2023-03-01 17:51 ]

在电源输入端一般都需要做一个防反接电路，常见的电路有两种：一种串联肖特基二极管; 另一种通过PMOS管或NMOS管。(一)使用肖特基二极管当正确插入电源，负载电流沿二极管正向流动，如果接反，二极管将被反向偏置并且阻止反向电流，从而保护负载免受负电压的影响;如图所示，当12V输入快速反转至-20V时，输出电压保持不变，不会立即崩溃或跟随负输入;放置在输出端的大容量电容可防止输出立即下降，并可在输入电源恢复之前为负载供电一小段时间电路优缺点：优点：电路简单;始终阻断从负载流回电源的反向电流(这个与用MOS管是有区别的)

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[常见问题解答]MOS管驱动电路介绍[ 2023-02-28 18:31 ]

电源电路必须要有开关，那么什么样的开关会比较好呢？经常用的有三极管，MOS管等，各种开关，其中MOS管它的导通内阻很低，再加上开和关速度极快，广受欢迎，被用在各种开关电源电路上。MOS管被用作开关电路好处这么多，那怎么样能用好它呢？也是有学问的，其中它的驱动电路设计就是最后关键的一步，下面旺哥给大家介绍几个工作中常用的MOS管驱动电路，希望大家喜欢。推挽驱动电路此图为一个推挽驱动MOS管电路，它最大的优势就是提高驱动能力，毕竟芯片驱动能力有限。下面具体分析电路原理。当我们想要打开MOS管时，芯片IO口输出一个高电平

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[常见问题解答]Buck电路的拓扑结构及工作原理介绍[ 2023-02-25 12:03 ]

常见的电子产品中，通常需要用到12V以下的电压，如5V、3.3V、1.8V等，这就需要用到二次降压，直流降压的方式主要有LDO和BUCK两种方式，采用LDO的方式缺点是发热量大，电流小，效率有限、带载有限，所以对于输入输出压差较大，电流需求较大的系统就需要采用BUCK电路来降压供电。Buck是直流转直流的降压电路。Buck电路的拓扑结构Buck电路拓扑结构工作原理是：MOS管做为开关，开关频率够高，此电路就可以输出稳定的电压。当驱动为高电平时，MOS管导通，储能电感充电，流经电感的电流线性增加，同时给电容C1充电，

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[常见问题解答]寄生二极管的作用和方向判断方法介绍[ 2023-02-25 11:59 ]

一、寄生二极管的作用1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。二、寄生二极管的方向判断它的判断规则就是： N沟道，由S极指向D极； P沟道，由D极指向S极。再继续看下面两张图：想像DS边的三节断续线是连通的不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极

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[常见问题解答]MOS管中的密勒效应详解[ 2023-02-21 17:55 ]

前面我们详细的介绍了共射放大电路的设计步骤，对于低频信号，可以不考虑三极管的频率特性，但是随着输入信号频率的增加，MOS管的寄生电容就不得不考虑。MOS管有极间电容有Cgd，Cgs，Cds。MOS管的寄生电容Cgs跨接在输入端与地之间，对于输入端来说与基极电阻构成了低通滤波器，会使MOS管的高频性能下降。Cds跨接在输出端与地之间，对于输出端来说与基极电阻构成了低通滤波器，会使MOS管的高频性能下降。虽然Cgs和Cds都使MOS管的高频性能下降，却很好理解。只要知道了这两个容值，和输入输出电阻就可以计算出截止频率，

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[常见问题解答]MOS管的定义与特性及应用介绍[ 2023-02-21 17:13 ]

1.什么是MOS管?MOS管的定义：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。其属于半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，是电压器件。2.MO

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[常见问题解答]VMOS管开关电源电路图介绍[ 2023-02-17 17:15 ]

VMOS管开关电源电路图（一）　　如图是以VMOS功率场效应管为开关器件，以TL494开关集成电路组件为控制电路的推挽开关稳压电源。　　图中，TL494作为电源的控制电路，除了作为振荡源以外，还担负调整和稳定输出电压的任务。其振荡频率主要由外接元件R1和C1决定。本电源的开关频率为100kHz。VD1、VD2为隔离二极管，工作电压为33V。T为输出推挽变压器，其初级中心抽头与直流12V输入电源相接。次级接输出桥式整流电路。输出滤波器由扼流圈L1和滤波电容C3组成，能对100kHz的交流电起到很好的滤波作用。当输出电

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[常见问题解答]MOS管栅极电阻的作用详解[ 2023-02-17 15:06 ]

mos管栅极电阻的作用mos管栅极简介在了解mos管栅极电阻的作用之前，我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。MOS管三个极判断1.判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如M

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[常见问题解答]MOS管烧坏原因介绍[ 2023-02-15 17:28 ]

什么原因导致控制小功率无刷直流电机的MOS管被烧坏呢？若能够提供详细电路图及各元器件的型号（比如MOS管型号等）更好，由于没电路图，下面对这部分设计MOS管烧坏常见的可能性故障进行分析，自己核对一下是否有相应的问题。一般几种情况：1.启动电流过大，未做任何保护2.上下桥臂直通，瞬间过电流3.死区时间过短，反电动势导致反向击穿4.硬件不确定故障，偶发现象5.控制算法是否有误6.死区保护可能没有做好，导致H桥的上下臂有直通的可能，可以用多通道示波器测量一下控制PWM信号，是否有上下臂同时导通可能。1、电路图中是否有续流

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[常见问题解答]用MOS管搭建双向电平转换电路设计介绍[ 2023-02-14 16:16 ]

在电路开发过程中，我们经常遇到两个系统电平不一致的情况，比如IIC通信。使用MOS管搭建双向电平转换电路，是比较常见的做法，电路如图1中虚线框所示，MOS管的部分参数如图2所示。图1图2电路原理很简单，分两种情况：1. 从A到BA为高电平时，MOS管关断，B端通过上拉，输出高电平;A为低电平时，MOS管内的体二极管导通，使MOS管的S极被拉低，从而使Vgs=3.3V>Vgs(th)=1.6V，MOS管导通，B端被拉低，输出低电平;A为高阻态时，MOS管关断，B端通过上拉，输出高电平。2. 从B到AB为高电平时

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[常见问题解答]功率Mos管损坏主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁过压----------源漏过

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[常见问题解答]MOSFET与BJT如何精准区分[ 2023-02-08 17:25 ]

MOSFET与BJT区别MOSFET是电压驱劢，双极型晶体管（BJT）是电流驱劢。（1）只容许从信号源叏少量电流的情况下，选用MOS管；在信号电压较低，有容许从信号源取较多电流的条件下，选用三极管。（2）MOS管是单极性器件（靠一种多数载流子导电），三极管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。（3）有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。（4）MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。（5）MOS管输入阻抗大，低噪声，MOS管较贵，三极管的损耗大。（6）MOS管

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[常见问题解答]开关电源的同步与非同步整流特点分析[ 2023-02-04 14:52 ]

本文主要介绍开关电源的同步与非同步整流，及其各自的特点。非同步的特点：在输出电流变化的情况下，二极管压降相对较恒定当续流二极管正向导通时，输出电流变化，二极管的正向压降是恒定不变的，锗管的压降为0.3V，硅管的压降为0.7V。效率偏低因为二极管的电压降恒定，所以当流过二极管的电流很大的时候，原本在二极管上很小的电压再乘以电流之后，输出的电压很低的时候，这时候的二极管的小电压降就占了很大的比重，它的消耗功率就很可观了，所以在大电流的时候效率就会减低了。成本较低同等条件下，二极管的价格比MOS管会便宜。比较适宜较高的输

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[常见问题解答]场效应管的应用类型与作用介绍[ 2023-02-03 17:05 ]

场效应管的分类场效应管可分为两类：一类足结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料，又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之格外，还有加强型与耗尽型之分。如图所示。1．结型场效应管（简称JFET）N沟道结型场效应管的基体是一块N型硅资料。从基体引出两个电极分别叫源极（s）和漏极（D）。在基体两边各附一小片P型资料，其引出的电极叫栅极（G）。这样，在沟道和栅极之间构成厂两个PN结，当栅极开路时，沟道就相当于一个电阻，不同型号的管子其阻值相同，普

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[常见问题解答]场效应管与可控硅的驱动电路介绍[ 2023-02-02 15:59 ]

场效应管和可控硅驱动电路是有本质上的差异，首要场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其间绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器材叫IGBT俗称门控管，该器材的驱动电路与场效应管的驱动电路简直一样），这种驱动归于电压驱动，在大多运用在功率输出、电力改换等场合，恳求最佳选用PWM（脉宽调制）信号来操控，其输入到栅极的方波上升沿恳求峻峭（也称图腾柱输出），并且要有必定的瞬态驱动才干（因为场效应管的栅极等效

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