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[常见问题解答]MOS管高端驱动电路及调压电路介绍[ 2023-03-19 16:08 ]
MOS管高端驱动电路及调压电路介绍MOS驱动,有几个特别的需求这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管,同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求,而很多现成的MOS驱动IC,似乎也没有包含gate电压限制的结构。于是有了一个相对通用的电路来满足这三种需求。电路图如下:图1 用于NMOS的驱动电路图2 用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析:Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl
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[常见问题解答]5V供电电源过压保护电路解析[ 2023-03-06 17:59 ]
给大家分享解析一个5V供电电源过压保护电路。这个电路用到一个三极管,一个稳压管,一个MOS管,三个电阻,大家可以自己先看一下这个电路,后面给大家分具体步骤解析。输入<5.1V如图,当VIN输入电压小于5.1V时的情况,假定输入5V,稳压管导通电压为5.1V,所以稳压管D1不导通,因此三极管Q2就不会导通,接着MOS管Q1的栅极就会被R3拉到0V,P-MOS,Vgs=-5V,p-MOS管导通**,**此时Vout会正常输出5V.5.1V<输入<5.7V此时电源供给一个5.3V左右的电压,稳压管D1导
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[常见问题解答]boost电路的基本原理及控制环路分析[ 2023-03-05 13:19 ]
1、boost变换器的工作原理在说明反极性变换器之前,我们先说一下开关电源的工作原理,开关电源的作用主要是用于适配不同电平标准的器件,有升压电路(boost变换,step up)和降压电路(step down)。具体用于什么情形取决于电路工作的场景。如图1是一种典型的开关升压电路,它使用与当电源输入电压较低,不足以驱动下级负载时,用于提升电压以适配下级电压。图1 升压电路(电路本身需要升压,所以要求V0>Vin)这里假定mos管(N沟道增强型)为理想mos管,且D4为理想二极管(正向导通压降为0,反向雪崩电压
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[常见问题解答]如何判断NMOS管和PMOS管[ 2023-03-04 12:14 ]
MOS管的管脚有三个:源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain),但是实际工程应用中,经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;PMOS管就是positive管,是积极的管,而NMOS管是negative管,是消极的管。积极的管就是顺应潮流,顺势而为;消极的管就是违背趋势,逆流而上。很显然,电流从源极(输入端)到漏极(输出端),那就是顺势而为,因为源极就是源头嘛,因此这种管就是PMOS管;而电流要是从漏极(输入端)
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[常见问题解答]Buck降压型开关稳压器自举电路详解[ 2023-03-03 12:24 ]
在Buck开关中,常使用N-MOS管作为功率开关管。相比于P-MOS,N-MOS具有导通电阻低价格便宜且流过电流较大等优势。在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式:上管为P-MOS,下管为N-MOS;无需外部自举电路上下管均为N-MOS;需要外部自举电路从上图可知,由于N-MOS导通条件是栅极电压比源极电压高。对于上管而言必须增加自举电路才能保证上管完全导通。下面就介绍下自举电路原理:①当上管关断下管打开时,开关节点处的电压拉低到GND。这时内部电源通过二极管给电容进行充电。②当上管打开下管关断时,开关节点电压
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[常见问题解答]电源防反接电路介绍[ 2023-03-01 17:51 ]
在电源输入端一般都需要做一个防反接电路,常见的电路有两种:一种串联肖特基二极管; 另一种通过PMOS管或NMOS管。(一)使用肖特基二极管当正确插入电源,负载电流沿二极管正向流动,如果接反,二极管将被反向偏置并且阻止反向电流,从而保护负载免受负电压的影响;如图所示,当12V输入快速反转至-20V时,输出电压保持不变,不会立即崩溃或跟随负输入;放置在输出端的大容量电容可防止输出立即下降,并可在输入电源恢复之前为负载供电一小段时间电路优缺点:优点:电路简单;始终阻断从负载流回电源的反向电流(这个与用MOS管是有区别的)
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[常见问题解答]MOS管驱动电路介绍[ 2023-02-28 18:31 ]
电源电路必须要有开关,那么什么样的开关会比较好呢?经常用的有三极管,MOS管等,各种开关,其中MOS管它的导通内阻很低,再加上开和关速度极快,广受欢迎,被用在各种开关电源电路上。MOS管被用作开关电路好处这么多,那怎么样能用好它呢?也是有学问的,其中它的驱动电路设计就是最后关键的一步,下面旺哥给大家介绍几个工作中常用的MOS管驱动电路,希望大家喜欢。推挽驱动电路此图为一个推挽驱动MOS管电路,它最大的优势就是提高驱动能力,毕竟芯片驱动能力有限。下面具体分析电路原理。当我们想要打开MOS管时,芯片IO口输出一个高电平
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[常见问题解答]Buck电路的拓扑结构及工作原理介绍[ 2023-02-25 12:03 ]
常见的电子产品中,通常需要用到12V以下的电压,如5V、3.3V、1.8V等,这就需要用到二次降压,直流降压的方式主要有LDO和BUCK两种方式,采用LDO的方式缺点是发热量大,电流小,效率有限、带载有限,所以对于输入输出压差较大,电流需求较大的系统就需要采用BUCK电路来降压供电。Buck是直流转直流的降压电路。Buck电路的拓扑结构Buck电路拓扑结构工作原理是:MOS管做为开关,开关频率够高,此电路就可以输出稳定的电压。当驱动为高电平时,MOS管导通,储能电感充电,流经电感的电流线性增加,同时给电容C1充电,
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[常见问题解答]寄生二极管的作用和方向判断方法介绍[ 2023-02-25 11:59 ]
一、寄生二极管的作用1、mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。2、防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。二、寄生二极管的方向判断它的判断规则就是: N沟道,由S极指向D极; P沟道,由D极指向S极。再继续看下面两张图:想像DS边的三节断续线是连通的不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极
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[常见问题解答]MOS管中的密勒效应详解[ 2023-02-21 17:55 ]
前面我们详细的介绍了共射放大电路的设计步骤,对于低频信号,可以不考虑三极管的频率特性,但是随着输入信号频率的增加,MOS管的寄生电容就不得不考虑。MOS管有极间电容有Cgd,Cgs,Cds。MOS管的寄生电容Cgs跨接在输入端与地之间,对于输入端来说与基极电阻构成了低通滤波器,会使MOS管的高频性能下降。Cds跨接在输出端与地之间,对于输出端来说与基极电阻构成了低通滤波器,会使MOS管的高频性能下降。虽然Cgs和Cds都使MOS管的高频性能下降,却很好理解。只要知道了这两个容值,和输入输出电阻就可以计算出截止频率,
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[常见问题解答]MOS管的定义与特性及应用介绍[ 2023-02-21 17:13 ]
1.什么是MOS管?MOS管的定义:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。 其属于半导体主动元件中的分立器件,能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,是电压器件。2.MO
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[常见问题解答]VMOS管开关电源电路图介绍[ 2023-02-17 17:15 ]
VMOS管开关电源电路图(一)  如图是以VMOS功率场效应管为开关器件,以TL494开关集成电路组件为控制电路的推挽开关稳压电源。  图中,TL494作为电源的控制电路,除了作为振荡源以外,还担负调整和稳定输出电压的任务。其振荡频率主要由外接元件R1和C1决定。本电源的开关频率为100kHz。VD1、VD2为隔离二极管,工作电压为33V。T为输出推挽变压器,其初级中心抽头与直流12V输入电源相接。次级接输出桥式整流电路。输出滤波器由扼流圈L1和滤波电容C3组成,能对100kHz的交流电起到很好的滤波作用。当输出电
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[常见问题解答]MOS管栅极电阻的作用详解[ 2023-02-17 15:06 ]
mos管栅极电阻的作用mos管栅极简介在了解mos管栅极电阻的作用之前,我们先了解一下mos管栅极及其他2个极的基础知识。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。MOS管三个极判断1.判断栅极GMOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如M
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[常见问题解答]MOS管烧坏原因介绍[ 2023-02-15 17:28 ]
什么原因导致控制小功率无刷直流电机的MOS管被烧坏呢?若能够提供详细电路图及各元器件的型号(比如MOS管型号等)更好,由于没电路图,下面对这部分设计MOS管烧坏常见的可能性故障进行分析,自己核对一下是否有相应的问题。一般几种情况:1.启动电流过大,未做任何保护2.上下桥臂直通,瞬间过电流3.死区时间过短,反电动势导致反向击穿4.硬件不确定故障,偶发现象5.控制算法是否有误6.死区保护可能没有做好,导致H桥的上下臂有直通的可能,可以用多通道示波器测量一下控制PWM信号,是否有上下臂同时导通可能。1、电路图中是否有续流
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[常见问题解答]用MOS管搭建双向电平转换电路设计介绍[ 2023-02-14 16:16 ]
在电路开发过程中,我们经常遇到两个系统电平不一致的情况,比如IIC通信。使用MOS管搭建双向电平转换电路,是比较常见的做法,电路如图1中虚线框所示,MOS管的部分参数如图2所示。图1图2电路原理很简单,分两种情况:1. 从A到BA为高电平时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平;A为低电平时,MOS管内的体二极管导通,使MOS管的S极被拉低,从而使Vgs=3.3V>Vgs(th)=1.6V,MOS管导通,B端被拉低,输出低电平;A为高阻态时,MOS管关断,B端通过上拉,输出高电平。2. 从B到AB为高电平时
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[常见问题解答]功率Mos管损坏主要原因有哪些[ 2023-02-10 17:34 ]
mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗,不同mos这个差距可能很大。Mos损坏主要原因:过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁过压----------源漏过
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[常见问题解答]MOSFET与BJT如何精准区分[ 2023-02-08 17:25 ]
MOSFET与BJT区别MOSFET是电压驱劢,双极型晶体管(BJT)是电流驱劢。(1)只容许从信号源叏少量电流的情况下,选用MOS管;在信号电压较低,有容许从信号源取较多电流的条件下,选用三极管。(2)MOS管是单极性器件(靠一种多数载流子导电),三极管是双极性器件(既有多数载流子,也要少数载流子导电)。(3)有些MOS管的源极和漏极可以互换运用,栅极也可正可负,灵活性比三极管好。(4)MOS管应用普遍,可以在很小电流和很低电压下工作。(5)MOS管输入阻抗大,低噪声,MOS管较贵,三极管的损耗大。(6)MOS管
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[常见问题解答]开关电源的同步与非同步整流特点分析[ 2023-02-04 14:52 ]
本文主要介绍开关电源的同步与非同步整流,及其各自的特点。非同步的特点:在输出电流变化的情况下,二极管压降相对较恒定当续流二极管正向导通时,输出电流变化,二极管的正向压降是恒定不变的,锗管的压降为0.3V,硅管的压降为0.7V。效率偏低因为二极管的电压降恒定,所以当流过二极管的电流很大的时候,原本在二极管上很小的电压再乘以电流之后,输出的电压很低的时候,这时候的二极管的小电压降就占了很大的比重,它的消耗功率就很可观了,所以在大电流的时候效率就会减低了。成本较低同等条件下,二极管的价格比MOS管会便宜。比较适宜较高的输
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[常见问题解答]场效应管的应用类型与作用介绍[ 2023-02-03 17:05 ]
场效应管的分类场效应管可分为两类:一类足结型场效应管,另一类是绝缘栅型场效应管,也称MOS管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料,又分为N沟道和P沟道两种;绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之格外,还有加强型与耗尽型之分。如图所示。1.结型场效应管(简称JFET)N沟道结型场效应管的基体是一块N型硅资料。从基体引出两个电极分别叫源极(s)和漏极(D)。在基体两边各附一小片P型资料,其引出的电极叫栅极(G)。这样,在沟道和栅极之间构成厂两个PN结,当栅极开路时,沟道就相当于一个电阻,不同型号的管子其阻值相同,普
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[常见问题解答]场效应管与可控硅的驱动电路介绍[ 2023-02-02 15:59 ]
场效应管和可控硅驱动电路是有本质上的差异,首要场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管,可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅(可控硅也叫晶闸管,可分单向晶闸管和双向晶闸管),其间绝缘栅型场效应管也叫MOS管(有一种场效应管、三极管混合的器材叫IGBT俗称门控管,该器材的驱动电路与场效应管的驱动电路简直一样),这种驱动归于电压驱动,在大多运用在功率输出、电力改换等场合,恳求最佳选用PWM(脉宽调制)信号来操控,其输入到栅极的方波上升沿恳求峻峭(也称图腾柱输出),并且要有必定的瞬态驱动才干(因为场效应管的栅极等效
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