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[行业资讯]「15N10,20N03,70N03」关于MOS管三极管IGBT之间的关系-壹芯微[ 2021-07-27 09:10 ]: 「15N10,20N03,70N03」关于MOS管三极管IGBT之间的关系-壹芯微型号：15N10(15A,100V) 20N63(20A,30V) 70N03(70A,30V)品牌：壹芯微|类型：场效应管MOSFET|封装：TO-252|多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询PN结：从PN结说起PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点：1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子&; http://www.szyxwkj.com/Article/15n102mos_1.html

[行业资讯]70N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-13 09:25 ]: 70N03 TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微70N03（70A,30V N沟道场效应晶体管）品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：TO-252|参数达标质量稳定免费样品欢迎咨询70N03场效应管主要参数参数\型号70N03极性NID(A)70VDSS(V)30RDS(ON):Max(Ω)0.0085RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)1~3Gfs(min):(S)31Gfs(min):Vgs(V)10Gfs(min):Io(A)15封装TO-252概述：壹芯70N03; http://www.szyxwkj.com/Article/70n03to252_1.html

[常见问题解答]〔壹芯〕生产70N03场效应管70A-30V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-08 11:39 ]: 〔壹芯〕生产70N03场效应管70A-30V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：70N03　　　　　　　极性：NIDA(A)：70　　　　　　　VDSS(V)：30RDS(on)　MAX(Ω)：0.0085　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：1~3Gfs(min)　(S)：31　Vgs(V)：10　Io(A)：15封装：TO-252如果在栅极G与源极S之间加正向电压（UGS>0），就会在栅极下面的硅表面出现耗尽区，接着就出现了负电荷（电子），硅的表面从P型反型成N型，如图1; http://www.szyxwkj.com/Article/yxsc70n03c_1.html

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