〔壹芯〕生产70N03场效应管70A-30V,参数达标,质量稳定
场效应管(MOSFETS)
型号:70N03 极性:N
IDA(A):70 VDSS(V):30
RDS(on) MAX(Ω):0.0085 VGS(V):10
VGS(th) (V):1~3
Gfs(min) (S):31 Vgs(V):10 Io(A):15
封装:TO-252
MOSFET的模拟结构
如果在栅极G与源极S之间加正向电压(UGS>0),就会在栅极下面的硅表面出现耗尽区,接着就出现了负电荷(电子),硅的表面从P型反型成N型,如图1.2(b)所示,此时电子从源极移动到漏极形成漏极电流iD,我们把导电的反型层称作沟道。如果在栅极与源极之间加反向电压(UGS<0),则与上述情况相反,在栅极下面的硅表面上因感应产生空穴,故没有iD电流流过,如图1.2(c)所示。
从图1.1中可以看出,传统的MOSFET结构是把源极、栅极及漏极安装在硅片的同一侧面上,因而MOSFET中的电流是横向流动的,电流容量不可能太大。要想获得大的功率处理能力,必须有很高的沟道长宽比(W/L),而沟道长度L受基板和光刻工艺的限制不可能做得很小,所以只能增加管芯面积,这显然是不经济的,甚至是难以实现的。
根据载流子的性质,MOSFET可分为N沟道和P沟道两种类型,它们的电路图形符号分别如图1.3(a)与(b)所示,图中箭头表示载流子移动的方向。图1.3(a)表示N沟道,电子流出源极;图1.3(b)表示P沟道,空穴流出源极。
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