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[技术文章]IRF1405 典型应用电路[ 2024-05-15 16:29 ]

IRF1405是一种常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在各种应用场景中都有广泛的应用。本文将详细介绍 IRF1405 的应用场景和参数特点。一、应用场景：1. 电动汽车和混合动力汽车：IRF1405 在电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统中起着至关重要的作用。其高电流处理能力和低导通电阻使其非常适合用于控制电机和电池管理系统，从而提高能源效率和性能。2. 电源转换器和逆变器：在电源转换器和逆变器的应用中，IRF1405 被广泛用于DC-DC和DC-AC转换电路。这些设备需要高效、高可靠性的功率

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[技术文章]AO4882 典型应用电路[ 2024-05-15 16:13 ]

AO4882是一种常用的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效电源管理和转换领域。以下是AO4882的应用场景和参数特点的详细介绍：一、应用场景1. 开关电源（SMPS）：在开关电源中，AO4882常用作开关元件。它通过快速的开关动作实现电压转换和调节，其高效率和低损耗使其在高频开关电源中表现出色。2. 电机驱动：在电机驱动电路中，AO4882用于控制电机的启动、停止和速度调节，提供精准的电流控制和高效的能量转换，确保电机运行稳定。3. 光伏逆变器：在光伏系统中，AO4882用于逆变器，通过其高效的开关特性，将直流

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[常见问题解答]从理论到实践：使用同步整流技术构建先进的DC/DC电源变换器[ 2024-05-15 09:41 ]

同步整流技术通过采用具有极低导通电阻的功率MOSFET替代传统整流二极管，显著提升了DC/DC变换器的效率，尤其在低电压和大电流需求的应用中表现卓越。本文将深入探讨同步整流技术的工作原理、功率MOSFET的最新进展，及其与异步整流的比较分析。一、同步整流技术综述电源技术的飞速发展促使同步整流技术在低电压、大电流输出的DC/DC变换器中得到广泛应用。这些变换器的效率损失主要来源于功率开关管、高频变压器和输出端整流管。传统整流二极管由于导通压降较高，在低电压、大电流环境下效率极其不佳。超快恢复二极管的整流损耗可高达电源

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[技术文章]NCE60P50K 典型应用电路[ 2024-05-14 17:13 ]

NCE60P50K 是一款高性能的功率MOSFET，广泛应用于各类电子设备中，特别是在高效率和高密度电源应用方面表现出色。下面将详细介绍这款产品的应用场景和参数特点。一、应用场景1. 电源管理： NCE60P50K 通常用于电源管理系统，尤其是在需要高效电能转换的场合，如服务器电源、电脑电源以及其他工业电源系统。2. 驱动电路：由于其良好的开关特性， NCE60P50K 也常用于各种驱动电路，例如电机驱动和LED照明驱动等。3. 汽车电子：汽车行业的电子系统对元件的可靠性和耐久性有极高要求， NCE60P50K 能

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[技术文章]IRLML6402 典型应用电路[ 2024-05-13 15:40 ]

IRLML6402是一款常见的功率MOSFET，常用于各种电源管理和电力控制应用中。它具有许多优秀的参数特点，使其成为许多工程设计中的首选。一、应用场景：1. 电源开关：IRLML6402的低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用作电源开关，能够有效地管理电路中的电流流动。2. 直流-直流变换器：在直流-直流变换器中，IRLML6402可以用作开关管，控制能量的转移和电压的稳定输出。3. 电机驱动：对于一些低功率的电机驱动应用，IRLML6402也是一个不错的选择，其低导通电阻和高速开关特性有助于提高效率和响应速度。

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[技术文章]NCE6020AK 典型应用电路[ 2024-05-13 14:38 ]

NCE6020AK 是一款N沟道功率MOSFET，在电源管理和电子开关设备中扮演着关键角色。一、应用场景1. 开关电源：NCE6020AK 在各类开关电源中广泛使用，包括计算机、电视以及其他小型家电的电源模块。其卓越的开关特性和高效率，为设备提供了稳定的电源输出。2. 电池管理系统：电动汽车和便携式电子设备的电池管理系统中，NCE6020AK 被广泛采用，用于控制电池的充放电过程，保护电池并延长其使用寿命。3. DC/DC转换器：各种DC/DC转换器中，NCE6020AK 提供了高效率的转换功能，特别适用于需要高电

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[技术文章]IRF2807 典型应用电路[ 2024-05-10 12:05 ]

IRF2807是一款备受信赖的功率MOSFET，在众多电子设备中都得到了广泛的应用。以下是关于IRF2807的应用场景和参数特点的深入介绍：一、应用场景：1. 电源供应器：IRF2807在电源供应器中发挥着重要作用，尤其适用于开关电源和直流-直流变换器的设计。其低导通电阻和高耐压特性，使得电源系统能够更高效地转换电能，并且在高负载下保持稳定性。2. 电机驱动：在电机控制领域，IRF2807被广泛应用于电机驱动器的输出级。其高效能和可靠性，确保了电机系统的精准控制和稳定运行，尤其适用于需要大功率输出的应用场合。3.

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[常见问题解答]选择最佳功率MOSFET封装：应用场景的关键考虑因素[ 2024-05-08 10:00 ]

在电子设计领域，选择合适的功率MOSFET和功率模块封装是一个关键的决策点，尤其是在面对日益复杂的技术需求时。工程师在初步设计阶段需要从众多可用的封装选项中挑选出最佳的一个，这需要综合考虑热性能、成本、尺寸以及电气性能等多种因素。一、封装的热性能考虑封装的选择首先要考虑的是其热性能，因为它直接影响到功率器件的可靠性和效率。封装的热阻抗是评价其热性能的关键指标，它表明了封装在标准操作条件下从半导体结到环境的热传递能力。高热阻抗意味着封装的散热能力较差，可能导致器件在高功率应用中过热，从而影响性能和寿命。二、封装类型与

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[常见问题解答]DC-DC转换器如何实现电能转换效率提升[ 2024-04-29 10:34 ]

一、DC-DC转换器的应用实例与性能考虑在各种现代电子设备中，DC-DC转换器扮演了至关重要的角色。例如，在手机电池管理系统中，升压转换器负责为显示屏供电；而在笔记本电脑中，降压转换器则将电池电压转换为适合各种IC的低电压。在选择和设计DC-DC转换器时，需要考虑多个关键性能指标，包括转换效率、输出纹波、瞬态响应速度、体积、散热以及电磁兼容性等。二、DC-DC转换器的核心结构与组件DC-DC转换器的主要组件包括：控制器（通常是一种集成电路，负责生成驱动开关元件工作的控制信号）；开关元件（如功率MOSFET，执行高速

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[技术文章]IRF640N 典型应用电路[ 2024-04-23 18:09 ]

IRF640N 是一种性能优越的功率MOSFET，它在电子制造业中的应用非常广泛，特别是在高电压和大电流的电子电路中表现出色。以下是对 IRF640N 在实际应用场合以及其主要参数特性的详细解析。一、应用场景：1. 调速器和调光器：IRF640N 能够在调速器和调光器中控制更大的电流，使其在家用电器和工业设备中调整电机速度或灯具亮度时更为高效和稳定。2. 汽车电子：在汽车电子领域，IRF640N 用于控制车辆内部的各种电机，例如窗户升降器和座椅调节器，其高效的开关特性保证了电路的快速响应和长期稳定性。3. 可再生能

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[技术文章]STM32F407VGT6 典型应用电路[ 2024-04-23 17:35 ]

IRFZ44N是一种常用的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和其他高电流、高速开关应用。它的主要特点包括高电流承载能力、低栅极电荷和优异的热性能，适合于需要高效率和可靠性的电子设备。一、主要参数：- 最大耗散功率： 94 W- 最大连续漏极电流： 49 A- 最大栅极-源极电压： ±20 V- 阈值电压（Vgs(th)）： 2.0 - 4.0 V- 静态漏极-源极电阻（Rds(on)）： 17.5 mΩ二、应用场景：1. 开关电源：在开关电源中

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[技术文章]IRFZ44N 典型应用电路[ 2024-04-23 17:35 ]

IRFZ44N是一种常用的功率MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动和其他高电流、高速开关应用。它的主要特点包括高电流承载能力、低栅极电荷和优异的热性能，适合于需要高效率和可靠性的电子设备。一、主要参数：- 最大耗散功率： 94 W- 最大连续漏极电流： 49 A- 最大栅极-源极电压： ±20 V- 阈值电压（Vgs(th)）： 2.0 - 4.0 V- 静态漏极-源极电阻（Rds(on)）： 17.5 mΩ二、应用场景：1. 开关电源：在开关电源中

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[常见问题解答]功率MOSFET的开通和关断过程原理介绍[ 2023-08-25 16:53 ]

功率MOSFET的开通和关断过程原理（1）：开通和关断过程实验电路（2）：MOSFET 的电压和电流波形：（3）：开关过程原理：开通过程[ t0 ~ t4 ]：在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通；[t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs充电而上升，在t1时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；[t1-t2]区间，MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大；[t2-t3

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[常见问题解答]功率MOS管的正向截止等效电路与稳态特性介绍[ 2023-08-24 18:26 ]

功率MOSFET的正向截止等效电路与稳态特性介绍功率MOSFET的正向截止等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的稳态特性总结（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线（2）：说明：功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。（3）：稳态特性总结：门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态；当VgsVth时，器件处于导通状态；

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[常见问题解答]功率MOSFET的正反向导通等效电路解析[ 2023-08-24 18:06 ]

功率MOSFET的正反向导通等效电路解析功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率

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[常见问题解答]SiC MOSFET的结构和特性介绍[ 2023-08-21 16:47 ]

SiC MOSFET的结构和特性介绍SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JFET效应，从而增加通态电阻；同时，这种结构的寄生电容也较大。图1：平面SiC MOSFET的结构沟槽SiC MOSFET的结构，如图2所示。这种结构将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，由于要开沟槽，工艺变

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[常见问题解答]电路分析，异步电路与同步电路的区别[ 2023-08-08 17:09 ]

电路分析，异步电路与同步电路的区别什么是异步和同步电路？异步电路如果高MOSFET与低MOSFET同步，我们可以在一些应用中发现它们被称为直接开关管，即高端和低侧MOSFET。同步电路同步是一种新技术，它使用MOSFET（一种具有非常低导通电阻的特殊功率元件）来代替整流二极管，然后降低整流器损耗。它可以大大提高DC/DC转换器的效率，并且没有由肖特基势垒引起的阈值电压。功率MOSFET是一种电压控制器件，在导通状态下具有线性电压电流特性。当功率MOSFET用作整流器时，栅极电压必须与整流电压的相位同步才能实现整流功

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[常见问题解答]开关电源中的过流保护方式介绍[ 2023-07-21 17:01 ]

电源作为一切电子产品的供电设备，除了性能要满足供电产品的要求外，其自身的保护措施也非常重要，如过压、过流、过热保护等。一旦电子产品出现故障时，如电子产品输入侧短路或输出侧开路时，则电源必须关闭其输出电压，才能保护功率MOSFET和输出侧设备等不被烧毁，否则可能引起电子产品的进一步损坏，甚至引起操作人员的触电及火灾等现象，因此，开关电源的过流保护功能一定要完善。一、开关电源中常用的过流保护方式过电流保护有多种形式，如图1所示，可分为额定电流下垂型，即フ字型;恒流型;恒功率型，多数为电流下垂型。过电流的设定值通常为额定

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[常见问题解答]PFC中功率MOSFET的一种失效形式介绍[ 2023-06-30 17:41 ]

PFC中功率MOSFET的一种失效形式介绍TV、户外LED照明等功率比较大的电源系统中，通常输入端使用PFC功率因素校正电路。系统反复起动的过程中，如系统动态老化Burn In测试、输入打火测试，由于PFC控制芯片的供电VCC电源建立过程比较慢，特别是使用PFC的电感绕组给PFC控制芯片供电的情况，会导致功率MOSFET管的驱动在起动的过程中，由于驱动电压不足，容易进入线性区工作，功率MOSFET反复不断的进入线性区工作，工作一段时间后，就会形成局部热点而损坏。例1：户外LED照明电源，拓扑结构为PFC+LLC，P

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[常见问题解答]同步整流下功率场效应管的分析[ 2023-06-14 16:24 ]

同步整流下功率场效应管的分析同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。不但应该深入研究功率MOSFET的导电特性,而且要基于其整流损耗模型,进行整流损耗分析。除此之外,对于大电流运行情况,同步整流技术的整流损耗是否总是优于肖特基二极管的整流损耗。MOSFET为电压控制型器件,电压控制意味着对电场能的控制,故称作为电场效应晶体管。MOSFET是利用多数载流子导电的器件,因而又称之为单极性晶体管。MOSFET下

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