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[常见问题解答]选择最佳功率MOSFET封装：应用场景的关键考虑因素[ 2024-05-08 10:00 ]

在电子设计领域，选择合适的功率MOSFET和功率模块封装是一个关键的决策点，尤其是在面对日益复杂的技术需求时。工程师在初步设计阶段需要从众多可用的封装选项中挑选出最佳的一个，这需要综合考虑热性能、成本、尺寸以及电气性能等多种因素。一、封装的热性能考虑封装的选择首先要考虑的是其热性能，因为它直接影响到功率器件的可靠性和效率。封装的热阻抗是评价其热性能的关键指标，它表明了封装在标准操作条件下从半导体结到环境的热传递能力。高热阻抗意味着封装的散热能力较差，可能导致器件在高功率应用中过热，从而影响性能和寿命。二、封装类型与

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[常见问题解答]如何安全地从可调电源获得最大电流？[ 2024-05-07 10:36 ]

在电子设备和实验室环境中，可调电源因其能够灵活调整电压和电流而广受欢迎。其能输出的最大电流是一个关键的性能参数，对于确保电路的稳定与安全具有至关重要的作用。一、技术原理与最大电流输出的实现为实现可调电源的最大电流输出，需要关注以下技术关键点：1. 功率器件的选择与优化：功率器件是电流输出的关键，选择时应考虑其承载电流的能力，并优化其工作状态，确保在高负载下保持性能稳定。此外，良好的散热措施也是必不可少的，防止设备因过热而性能下降或损坏。2. 精确的反馈电路设计：反馈电路是调节电流的核心。通过精确设定电阻值及其放大倍

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[技术文章]UC2843 典型应用电路[ 2024-05-06 11:26 ]

UC2843 是一种常用的电流模式PWM控制器，广泛应用于开关电源的设计中，包括升压、降压、反激（Flyback）和正激（Forward）转换器等。它主要通过提供一个稳定的频率来控制功率器件的开关，以实现高效的电源转换。下面将详细介绍 UC2843 的应用场景和参数特点。一、应用场景：1. AC-DC 转换器：UC2843 常被用于设计离线式SMPS（Switched-Mode Power Supply，开关模式电源），这种应用能将交流电源转换为一个或多个直流输出，广泛应用于家用电器和工业电源中。2. DC-DC

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[技术文章]2P4M 典型应用电路[ 2024-04-28 16:54 ]

2P4M 是一个晶体管的型号，它属于半导体功率器件中的一员，广泛应用于电子电路中进行电压和电流的控制与调节。以下是 2P4M 的应用场景和参数特点的详细介绍：一、应用场景1. 电动工具： 2P4M 通常用于电动工具中的驱动电路，例如电钻和砂光机等，主要用于控制工具的启动、停止和速度调节。2. 家用电器：在各种家用电器，如微波炉、电风扇和空调等的电力控制系统中， 2P4M 能够提供稳定的功率调整功能。3. 照明设备： 2P4M 在调光器和各类照明设备中，帮助实现灯光亮度的调节，特别是在LED照明技术中的应用非常普遍。

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[常见问题解答]线性电源电路原理图文介绍[ 2024-01-26 17:30 ]

线性电源电路原理图文介绍线性电源电路原理图举例线性电源功率器件工作在线性状态，如我们常用的稳压芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下图1是LM7805稳压电源电路原理图。图1 线性电源原理图从图上可知，线性电源有整流、滤波、稳压、储能等功能元件组成，同时，一般用的线性电源为串联稳压电源，输出电流等于输入电流，I1=I2+I3，I3是参考端，电流很小，因此I1≈I3。我们为什么要讲电流，是因为PCB设计时，每条线的宽度不是随便设的，是要根据原理图里元件节点间的电流大小来确定的。电流大小、电流流

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[常见问题解答]关于MOS管烧毁的原因有哪些[ 2023-12-15 18:22 ]

关于MOS管烧毁的原因有哪些MOS 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障，例如过电压（半导体的雪崩击穿）、过电流（键合线或者衬底熔化）、过热（半导体材料由于高温而分解）。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中，可能是在低至10V-15V 时发生，电路设计必须将其限制在安全水平。还有可能是功率过载，超过绝对最大额定值和散热不足，都会导致MOS管发生故障。接下来就来看看所有可

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[常见问题解答]IGBT及场效应管隔离驱动的电路介绍[ 2023-07-20 17:40 ]

IGBT及场效应管隔离驱动的电路介绍IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的。1、光电耦合器隔离的驱动器光电耦合器的优点是体积小巧，缺点是：A、反应较慢，因而具有较大的延迟时间（高速型光耦一般也大于300ns）;B、光电耦合器的输出级需要隔离的辅助电源供电。2、无源变压器驱动用脉冲变压器隔离驱动绝缘栅功率器件有三种方法：无源、有源和自给电源驱动。无源方法就是用变压器次级的输出直流驱动绝缘栅器件，这种方法很简单也不需要单独

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[常见问题解答]可控硅交流调压器原理介绍[ 2023-01-05 16:32 ]

可控硅交流调压器原理可控硅交流调压器：是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器，简称可控硅调压器，又称可控硅调功器，可控硅调整器，晶闸管调整器，晶闸管调压器，电力调整器，电力调压器，功率控制器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。（T1E脚接R2上端）可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可

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[常见问题解答]开关频率的提高受限于哪些因素介绍[ 2022-10-22 15:57 ]

开关电源产品日趋要求小型、轻量、高效率、低辐射、低成本等特点，增大开关电源产品的功率密度，可以通过提高其工作频率来实现，但高频化产品会产生一系列工程问题，从而限制了开关频率的提升。开关电源产品在市场的应用主导下，日趋要求小型、轻量、高效率、低辐射、低成本等特点满足各种电子终端设备，为了满足现在电子终端设备的便携式，必须使开关电源体积小、重量轻的特点，因此，提高开关电源的工作频率，成为设计者越来越关注的问题，然而制约开关电源频率提升的因素是什么呢？一、开关频率的提高，功率器件的损耗增大1、开关管限制开关频率的因素有哪

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[常见问题解答]IGBT模块及散热系统的等效热模型介绍[ 2022-09-14 17:46 ]

功率器件作为电力电子装置的核心器件，在设计及使用过程中如何保证其可靠运行，一直都是研发工程师最为关心的问题。功率器件除了要考核其电气特性运行在安全工作区以内，还要对器件及系统的热特性进行精确设计，才能既保证器件长期可靠运行，又充分挖掘器件的潜力。而对功率器件及整个系统的热设计，都是以器件及系统的热路模型为基础来建模分析的，本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。表征热特性的物理参数有两个：热阻R和热容C，热阻R是反映物体对热量传导的阻碍效果，而热容C则是衡量物质所包

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[常见问题解答]SBD肖特基二极管-开关电源的关键元件知识介绍[ 2021-10-30 14:48 ]

SBD肖特基二极管-开关电源的关键元件知识介绍肖特基势垒二极管简称肖特基二极管或肖特基管。英文全称（Schottky Barrier Diode，简写SBD），属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右，反向恢复时间极短，可小至几纳秒；其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。

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[常见问题解答]关于TVS二极管选型方法技巧_选型关键参数_现货供应生产厂家[ 2021-08-18 14:47 ]

TVS二极管如何选型？在TVS管的选型过程中，很多供应商、厂家往往都是直接告诉需求方选择哪个型号的器件，很少科普选型的技巧和提供选型过程中的理论计算。为此，造成了很多电子工程师在选型TVS二极管器件时，老手凭经验，新手凭参考。一旦更换了供应商、厂家或测试条件，就无从下手。为此，专业高品质二三极管功率器件厂商壹芯微科技，为了解决这个问题，科普：TVS二极管选型，让老手新手都得心应手。

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[常见问题解答]场效应MOS管的选型及应用 - 壹芯微[ 2021-08-13 12:20 ]

场效应MOS管的选型及应用 - 壹芯微MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。MOS管一般用通常用“Q，VT”表示比较常用的基本上是增强型MOS管，按结构分深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插、贴片二三极管，肖特基，TVS，快恢复，高效整流，场效应管(MOS管)，可控硅，三端稳压管，桥堆等功率器件选型产品，引进大量先进的二三极管选型封装测试全

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[常见问题解答]MOS场效应管栅极电阻在工业电源中的作用解析 - 壹芯微[ 2021-08-12 15:51 ]

场效应MOS管栅极电阻在工业电源中的五大作用 - 壹芯微一、起到分压作用二、下拉电阻时会快速泄放栅极电荷将MOS管迅速截止三、防止栅极出现浪涌过压(栅极上并联的稳压管也是为了防止过压产生)四、全桥栅极电阻也是相同机理，快速泄放栅极电荷，将MOS管尽快的截止。防止避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥栅极短路五、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用深圳市壹芯微科技专业研发制造各种直插、贴片二三极管，肖特基，TVS，快恢复，高效整流，场效应管(MOS管)，可控硅，三端稳压管，桥堆等功率器件选型

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[常见问题解答]功率器件MOS场效应管的作用解析-壹芯微[ 2021-08-06 15:41 ]

功率器件中MOS场效应管的作用解析-壹芯微MOS管是电子电路中常用的功率半导体器件，可以用作电子开关、可控整流等，是一种电压驱动型的器件。一、什么是MOS管MOS管的全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，英文简称为MOSFET，具有三个电极，分别为：栅极G、源极S和漏极D，根据其半导体结构可以分为P-MOS和N-MOS。其电气符号如下图所示。下面以NMOS为例分析其工作原理，在栅极G和源极S之间不加电压的时候，在DS之间加正电压时，D与衬底的P型半导体之间PN结反偏不通。当GS之间加正电压后，绝缘层和G极之间感应出

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[常见问题解答]可控硅整流器工作原理和作用解析[ 2021-05-21 21:52 ]

可控硅整流器工作原理和作用解析可控硅整流器是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。1.什么是可控硅整流器可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说，它是一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极，典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特

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[常见问题解答]怎样区分场效应管-功率管-特肖基二极管[ 2021-04-14 10:11 ]

怎样区分场效应管-功率管-特肖基二极管题目中的特肖基二极管的正确说法是肖特基二极管，功率管是一类大功率器件的总称，是一种统称，如大功率三极管、大功率二极管、大功率MOS管等。下面介绍一下如何区分场效应管和肖特基二极管。什么是场效应管场效应管是场效应晶体管的简称，应为缩写为FET。场效应管通常分为两类：1)JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极G、漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图

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[常见问题解答]三极管电路的一些知识总结[ 2021-03-10 11:34 ]

三极管电路的一些知识总结在嵌入式电路设计中包含模拟电路设计成分比较少，常用的模拟器件大部分为二极管、晶体管。本人现将嵌入式电路中晶体管所组成电路总结一下，以达到巩固目的。开关器件在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能，此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件，此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明该类电路特点：为仿真电路图不是很完整，该电路为晶振关闭功能电路，其中VO接MCU晶振输入端如(XIN)。若Q1和Q3基极同时为低时，Q2导通而使得VO

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[常见问题解答]VMOS知识-感温VMOS场效应管主要特性解析[ 2020-12-11 14:30 ]

VMOS知识-感温VMOS场效应管主要特性解析感温VMOS场效应管主要特性(1)这是一套N型智能VMOS功率器件,在器件的栅源极间制作了一个温度传感器。当漏极散热器的温度达到155~160℃时，通过温度传感器器件可自行关断，从而避免损坏。器件的电路符号见图5-18。(2)通过在器件外围简单加2~3个元件，即使器件在负载短路时，也能可靠地关断电源，避免器件损坏。(3)器件不仅可作慢速开关放大，而且可作高速开关放大,特别适合于丙类、丁类、戊类等高效功率放大器使用。若两管推挽连接，也可作乙类等线性功率放大。(4)器件开关

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[常见问题解答]MOS管保护措施技术详情解析[ 2020-11-16 16:24 ]

MOS管保护措施技术详情解析MOS管保护措施：功率MOS管的SOA曲线虽然功率MOS管有诸多优点,但在电路设计过程中,功率MOS管往往是最容易损坏的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驱动和保护问题是功率器件设计的关键。图1为功率MOS管的安全工作区(SOA)曲线,晶体管的击穿电压决定了其最大的漏源电压VDS ,电迁移限制确定了晶体管的最大漏极电流ID。芯片的最高工作温度与散热共同决定了最大的稳态功PD。图中虚线表示的是SOA边界,实线显示了缩小的SOA区域,为该器件的实际情况。从图中

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