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[常见问题解答]小型超低相噪恒温晶振的设计 - 壹芯微[ 2022-01-24 11:34 ]
小型超低相噪恒温晶振的设计 - 壹芯微晶振是各整机电子设备的核心部件,它在一定程度上决定着整机的性能指标。晶振的相位噪声指标是影响信号源的关键因素之一,对整机设备的性能参数有着重要意义,也是晶振非常关键的指标。本文介绍了一种小型超低相噪恒温晶振的设计,重点阐述了有载品质因数(Q)值、电路结构等对相噪的影响,并基于改进型的巴特勒振荡电路在小体积下进行了超低相噪恒温晶振的设计,对其主振电路、放大电路、稳压电路等进行了概要的分析。1.理论分析在晶体振荡电路中,三极管、二极管和电阻、电容、电感等元件都存在噪声,其中以产生振
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[常见问题解答]随机存储器的特点与结构介绍[ 2022-01-20 15:21 ]
随机存储器的特点与结构介绍早期的计算机使用继电器、机械计数器或延迟线来实现主存储器功能。超声波延迟线是串行设备,只能按写入顺序复制数据。鼓内存可以以相对较低的成本扩展,但有效检索内存项需要了解鼓的物理布局以优化速度。锁存器由真空管三极管构成,后来由分立晶体管构成,用于更小和更快的存储器,例如寄存器。此类寄存器相对较大且成本过高,无法用于处理大量数据;通常只能提供几十或几百位这样的存储器。随机存取存储器的第一种实用形式是1947年开始使用的威廉姆斯管。它将数据存储为阴极射线管表面的带电点。由于CRT的电子束可以任意顺
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[常见问题解答]单结晶体管的原理和特性介绍[ 2022-01-06 10:58 ]
单结晶体管的原理和特性介绍单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,是一种常用的半导体器件,它虽有三个管脚,很像半导体三极管,但它只有一个pN结,即一个发射极和两个基极,所以又称它为双基极二极管;它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2,在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。下面来看看其的原理和特性吧:1.结构单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路以及引脚排列,如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引脚b1、b2分别为第一基极和第二基极(双基极),e为发射极。e极
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[常见问题解答]晶体管的结构与工作原理解析[ 2021-12-31 14:30 ]
晶体管的结构与工作原理解析晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一,在重要性方面可以与印刷术,汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件,并且是最重要的一种半导体器件之一,它的放大作用和开关作用,促使了电子技术的飞跃。它的出现为集成电路、微处理器以及计算机内存的产生奠定了基础。那么什么晶体管?其又是如何工作的?下面一起来看看:1.晶体管概念晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、
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[常见问题解答]晶体管的种类大全介绍[ 2021-12-30 11:37 ]
晶体管的种类大全介绍晶体管是由三层杂质半导体构成的器件,有三个电极,所以又称为半导体三极管,晶体三极管等,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管的低成本,灵活性和可靠性使其成为无处不在的器件。晶体管机电一体化电路已经成为机电设备控制设备来控制机器。相比于机械控制系统,微控制器和计算机程序用于控制系统显得更加便捷。那么晶体管的种类有哪些?下面一起看看:晶体管1.分类方式1.1按功能和用途分类晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体
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[常见问题解答]晶体管的检测方法介绍[ 2021-12-30 11:34 ]
晶体管的检测方法介绍晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以下。电路中的晶体管主要有晶体二极管、晶体三极管、可控硅和场效应管等等,其中最常用的是三极管和二极管,如何检测二、三极管的好坏是学维修关键之一。下面一起来看看各种检测方法:晶体二极管1.二极管的检测方法1.1小功率晶体二极管(1)判别正、负电极(a)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管
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[常见问题解答]达林顿管的典型应用电路图与工作原理介绍[ 2021-12-29 12:26 ]
达林顿管的典型应用电路图与工作原理介绍在电子学中,称为达林顿配置(通常称为达林顿对)的多晶体管是由两个双极晶体管组成的电路,其中一个晶体管的发射极连接到另一个晶体管的基极,这样电流被第一个晶体管放大被第二个进一步放大。两个晶体管的集电极连接在一起,这种配置比单独采用的每个晶体管具有更高的电流增益。它是由西德尼·达林顿(SidneyDarlington)于1953年发明的。1.什么是达林顿管达林顿管就是两个三极管接在一起,极性只认前面的三极管。具体接法如下,以两个相同极性的三极管为例,前面三极管集电极跟
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[行业资讯]RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-16 17:54 ]
RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕RJK5030DPD参数资料,选型替代,RJK5030DPD封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压VDSS:500V栅源电压VGSS:30V漏极电流ID:5A漏极峰值电流ID(脉冲):20A雪崩电流IAP:5A通道耗散Pch:41.7W通道到外壳的热阻抗符号θch-c:3.0C/W通道温度Tch:150C储存温度Tstg:-55至+150C〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商,主营各类贴片与直插,二极管、三极管、MOS(场效应管)、可
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[行业资讯]TK4P55D场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家[ 2021-11-26 16:47 ]
TK4P55D场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家TK4P55D场效应管,TK4P55D参数代换,TK4P55D规格书(数据手册),封装引脚图壹芯微专业供应TK4P55D系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。TK4P55D.pdf 数据手册(规格书)下载TK4P55D场效应管主要参数如下:壹芯微专业制造各类二三极管,MOS管,主营:肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOS场效应管,整流桥堆,可控硅,三端稳压管,I
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[行业资讯]JCS4N60场效应管参数 代换 规格书资料下载 - MOS管厂家 - 壹芯微[ 2021-11-23 15:06 ]
JCS4N60场效应管参数 代换 规格书资料下载 - MOS管厂家 - 壹芯微JCS4N60参数代换,JCS4N60规格书(数据手册),JCS4N60封装引脚图壹芯微专业供应JCS4N60RB系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。JCS4N60RB.pdf 数据手册(规格书)下载JCS4N60RB场效应管主要参数如下:壹芯微专业制造各类二三极管,MOS管,主营:肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOS场效应管,整流桥堆,可控硅,三端稳压
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[行业资讯]AOD4T60场效应管参数,AOD4T60规格书下载,中文资料[ 2021-11-23 10:57 ]
AOD4T60场效应管参数,AOD4T60规格书下载,中文资料AOD4T60参数代换,AOD4T60规格书(数据手册),AOD4T60封装引脚图壹芯微专业供应AOD4T60系列场效应管,可替代昂贵的进口品牌对应型号。AOD4T60.pdf 数据手册(规格书)下载AOD4T60场效应管主要参数如下:壹芯微专业制造各类二三极管,MOS管,主营:肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOS场效应管,整流桥堆,可控硅,三端稳压管,IC集成电路;工厂直销,
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[常见问题解答]场效应管和三极管的详细对比[ 2021-11-11 18:09 ]
场效应管和三极管的详细对比场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出,输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出,不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制,但这都是相对的。电压控制的也需要电流,电流控制的也需要电压,只是相对要小而已。就其性能而言,场效应管要明显优于普通三极管,不管是频率还是散热要求,只要电路设计合理,采用场效应管会明显提升整体性能。1、三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。场效应管是单极型管子,即管子工作时要么只有空穴,要么只有
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[常见问题解答]肖特基二极管结构与原理知识介绍[ 2021-10-30 15:04 ]
肖特基二极管结构与原理知识介绍 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。它的主要特点是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
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[常见问题解答]光敏二极管与光敏三极管主要参数,应用与测量知识介绍[ 2021-10-29 17:41 ]
光敏二极管与光敏三极管主要参数,应用与测量知识介绍 一、光敏二极管 光敏二极管是一种采用PN结单向导电性能的结型光电器件,也叫光电二极管,能够将光信号变成电信号的探测器件,通过在PN结加上反向电压,在光的照射下反向导通,光敏二极管所用材料一般有硅、锗等。如下图是光敏二极管的外形结构与符号。
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[常见问题解答]肖特基二极管与场效应管分辨方法详细介绍[ 2021-10-23 16:55 ]
肖特基二极管与场效应管分辨方法详细介绍肖特基二极管代换传统普通二极管后,使用率也多了,因此有时候会很难分辨肖特基二极管和场效应管的区别。肖特基二极管是二极管的一种,特点:低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小,适合作整流电路使用;场效应管是三极管的一种,特点:输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小,开关特性好,适合做放大电路或开关电路。二极管与三极管完全是两种类型,不能相比较,但同属电子元件类。肖特基二极管和普通二极管或场效应管有很多相同的封装,因此外观有很多相似,用户使用时有所困惑也是难免的场效应管介绍场效应
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[行业资讯]MMBT3906三极管参数,MMBT3906参数规格书选型代换[ 2021-10-13 17:20 ]
MMBT3906三极管参数,MMBT3906参数规格书选型代换MMBT3906三极管,丝印2A,SOT-23封装引脚图:壹芯微供应MMBT3904系列的三极管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)MMBT3906L-AE3-R MMBT3906G-AE3-R 封装形式SOT-23MMBT3906L-AL3-R MMBT3906G-AL3-R 封装形式SOT-323MMBT3906L-AN3-R MMBT3906G-AN3-R 封装形式SOT-523MMBT3906.pdf 规格书查看
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[行业资讯]MMBT3904三极管参数,MMBT3904参数中文资料规格书[ 2021-10-13 15:13 ]
MMBT3904三极管参数代换,MMBT3904 晶体管参数中文资料规格书MMBT3904三极管,丝印1AM,SOT-23封装引脚图:壹芯微供应MMBT3904系列的三极管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)MMBT3904L-AE3-R MMBT3904G-AE3-R 封装形式SOT-23MMBT3904L-AL3-R MMBT3904G-AL3-R 封装形式SOT-323MMBT3904L-AN3-R MMBT3904G-AN3-R 封装形式SOT-523MMBT3904L-AQ3-R
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[常见问题解答]三极管,晶体管相关知识 - 壹芯微[ 2021-09-30 13:46 ]
三极管,晶体管相关知识 - 壹芯微半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪
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[常见问题解答]场效应管参数,MOS场效应管参数对照表 - 壹芯微[ 2021-09-30 12:17 ]
场效应管参数,MOS场效应管参数对照表 - 壹芯微场效应管字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。下面是关于场效应管怎么看参数和场效应管参数对照表的详细说明。一、场效应管怎么看参数1、K3878是场效应管,型号命名,有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。2、第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场
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[常见问题解答]场效应MOS管发热原因解析 - 壹芯微[ 2021-09-24 16:22 ]
场效应MOS管发热原因解析 - 壹芯微做电源设计、驱动电路等总会用到MOS管,MOS管有很多种类,也有很多作用,做电源或驱动的使用,当然就是用它的开关作用。无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图(图1)(图1)MOS管的工作原理我们在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路,如
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