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VMOS概述-VMOS场效应管的检测方法与注意事项

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-11-09 浏览:-

VMOS概述-VMOS场效应管的检测方法与注意事项解析

VMOS场效应管概述

VMOS场效应管的检测方法解析。VMOS管全称V-groove metal-oxide semiconductor,或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。

它是继MOSFET之后新发展起来的。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右), 还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,其两大结构特点:

VMOS,VMOS场效应管的检测方法

第一,金属栅极采用V型槽结构;

第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+ 区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D。

VMOS场效应管的检测方法解析

VMOS场效应管的检测方法步骤如下:

(1)判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其它两脚的电阻均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则证明此脚为G极,因为它和另外两个管脚是绝缘的。

(2)判定源极S、漏极D

在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。

(3)测量漏-源通态电阻RDS(on)

将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

(4)检查跨导

将万用表置于R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。

注意事项

介绍了VMOS场效应管的检测方法之后,下面来看看它的注意事项:

(1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。

(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。

(3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。

(4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。

(5)使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例,该管子加装140×140×4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W。

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