UTT25P10场效应管参数代换,UTT25P10中文资料规格书下载

UTT25P10场效应管参数代换,UTT25P10封装引脚图,UTT25P10中文资料规格书

UTT25P10描述与特性

UTT25P10是一款采用先进技术的P沟道功率MOSFET，为客户提供高开关速度和最小导通电阻，并且在雪崩中也能承受高能量。

此UTT25P10适用于电机驱动器、开关稳压器、转换器和继电器驱动器等。

* RDS(ON)<0.15Ω @ VGS=-10V，ID=-25A

* 高开关速度

UTT25P10最大额定参数 TC=25°C，除非另有说明。

Drain-SourceVoltage漏源电压(注 2),VDSS：-100V 

Drain-GateVoltage漏栅电压(RGS=20k?),VDGR：-100V 

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±20V 

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID：-25A 

DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注 2),IDM：-60A 

PowerDissipation功耗TO-220/TO-263,PD：100W

PowerDissipation功耗TO-220F,PD：2W

PowerDissipation功耗TO-252,PD：50W

JunctionTemperature结温,TJ：-55~+150°C 

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

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