场效应晶体管的英文简称为FET，中文简称为场效应管或者单极型晶体管。它是由电压控制的半导体器件，输入电阻在108Ω~109Ω之间（输入电阻高）、噪声小、功耗低、动态范围大、集成简易、不会造成二次击穿的现象、安全工作范围广等优点，目前场效应管已经成为了双极型晶体管和功率晶体管的最强力的竞争者。场效应管主要分为量大类分别是：结型场效应管和绝缘栅场效应管（mos管）。

场效应管不等于MOS管，MOS管只是场效应管的一种；而场效应管只是晶体管的一种，晶体管又分为单极性和双极性晶体管；具体是怎么区分的，请看下面的介绍。

场效应管与双极型晶体管相比：

（1）场效应管中，导电过程是多数载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的扩散运动又有少子的漂移运动。

（2）场效应管是通过栅极电压uGS来控制漏极电流iD，称为电压控制器件；双极型晶体管是利用基极电流iB（或射极电流iE）来控制集电极电流iC，称为电流控制器件。

（3）场效应管的输入电阻很大；晶体管的输入电阻较小。

（4）场效应管的跨导gm的值较小，双极型晶体管的β值很大。在同等条件下，场效应管的放大能力不如晶体管高。

（5）结型场效应管的漏极和源极可以互换使用，MOS管如果衬底没有和源极接在一起，也可将d、s极互换使用；双级型晶体管的c和e极互换则称为倒置工作状态，此时β将变得非常小。

（6）场效应管可作为压控电阻使用。

（7）场效应管是依靠多子导电，因此具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。

场效应管还有一些缺点：如功率小，速度慢等。但由于它工艺简单，易于集成，故广泛应用于集成电路。

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