RJK5030DPD场效应管参数 RJK5030DPD参数资料规格书〔壹芯微〕
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漏源电压VDSS:500V
栅源电压VGSS:30V
漏极电流ID:5A
漏极峰值电流ID(脉冲):20A
雪崩电流IAP:5A
通道耗散Pch:41.7W
通道到外壳的热阻抗符号θch-c:3.0C/W
通道温度Tch:150C
储存温度Tstg:-55至+150C
〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商,主营各类贴片与直插,二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成电路);参数达标,质量保障,工厂直销(价省20%),免费送样,选型替代,技术支持,专业售后,如需了解产品详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服。
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