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P沟道场效应管特点与开关条件应用分析

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-04-18 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,P沟道场效应管特点与开关条件应用分析,请看下方

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,叫源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有满足的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅外表呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压能够改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假如N型硅衬底外表不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 

P沟道MOS管的空穴迁移率低,因而在MOS管的几许尺寸和工作电压绝对值相等的状况下,PMOS管的跨导小于N沟道MOS管。此外,P沟道MOS管阈值电压的绝对值普通偏高,要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。这就给PMOS管的运用领域有了必定的限制。

PMOS管因逻辑摆幅大,充电放电进程长,加之器材跨导小,所以工作速度更低,在NMOS管电路呈现之后,大都已为NMOS电路所替代。仅仅,因PMOS管电路工艺简略,价钱低廉,有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS管电路技能。PMOS管的特性,Vgs小于必定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的状况(高端驱动)。

当然PMOS管能够很便当地用作高端驱动,但由于导通电阻大,交流种类少等缘由,在高端驱动中,一般还是运用NMOS管。正常工作时,P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连,而漏心极的电压Vds应为负值,以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏,一起为了在衬底顶外表左近构成导电沟道,栅极对源极的电压Vgs也应为负。 

P-MOS开关条件

P-MOS管的导通调节是G极与S极中间的电压差低于阈值时,S极和D极导通。

在实际的使用中,将控制信号接到G极,S极接在VCC,从而达到控制P-MOS管的开和关的效果,在S极和D极导通后,导通电阻Rds(on)极小,一般是几十毫欧级,电流流通后,形成的压降很小。

P-MOS的应用

1.电源通断控制

P-MOS管的通断控制,其实就是控制其Vgs的电压,从而达到控制电源的目的。

场效应管

场效应管

Key开关闭合前,P-MOS管输出电压0.0164V,闭合后,P-MOS管输出电压5V。

但在实际电路中,一般都用MCU的GPIO代替Key开关来控制,同时MCU高电平时3.3V,因此GPIO输出控制信号时需要使用三极管,在这里三极管的选择也有区别。

有时候我们想要一个GPIO控制几个信号时,这就考虑到电平匹配的问题。

2.高电平控制电源导通,用一个NPN三极管

场效应管

场效应管

3.低电平控制电源导通,用一组PNP+NPN三极管

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