收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

“壹芯”做好二、三极管各式优质二、三极管选壹芯微

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-22 浏览:-

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

电子电路中MOS管和IGBT管都是常见且常用的电子器件,它们都可以作为开关元件来使用,在外形及特性参数也比较相似,为什么有些电路中使用MOS管?而有些电路用IGBT管?

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

MOS管和IGBT管的区别:

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

场效应管主要分两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管,MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

有的MOSFET内部有个二极管,这是体二极管,或者叫寄生二极管、续流二极管。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

寄生二极管的作用,两种解释:1、MOSFET的寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件,IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中广泛应用。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

IGBT的电路符号没有统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。同时还要注意IGBT有没有体二极管,图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明,否则这个二极管是存在。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

IGBT内部的体二极管并非寄生的,而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管),判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难,可以用万用表测量IGBT的C极和E极,如果IGBT是好的,C、E两极测得电阻值无穷大,则说明IGBT没有体二极管。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

MOS管和IGBT管的内部结构如下图

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。IGBT的理想等效电路如下图,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合,MOSFET存在导通电阻高的缺点,但IGBT克服了这一缺点,在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

另外,相似功率容量的IGBT和MOSFET,IGBT的速度可能会慢于MOSFET,因为IGBT存在关断拖尾时间,由于IGBT关断拖尾时间长,死区时间也要加长,从而会影响开关频率。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

在电路中,选用MOS管作为功率开关管还是选择IGBT管,如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑,可以总结出以下几点:

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。

MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微


推荐阅读

【本文标签】:肖特基二极管 快恢复二极管 整流二极管 MOS管 场效应管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1MOS管,IGBT管区别、选择与应用 - 壹芯微

2MOS管和IGBT管的区分辨别,选择、判断与使用方法 - 壹芯微

3三极管、场效应MOS管作为开关管使用的选型方法 - 壹芯微

42N65KL-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

54N65ZG-TN3-T场效应管,4N65ZG-TN3-T参数中文资料 - 壹芯微

6MOS管(场效应管)的几种效应解析 - 壹芯微

7使用MOS场效应管实现低功耗双稳态电路 - 壹芯微

8MOS场效应管驱动电路解析 - 壹芯微

95N65G-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

106N65L-TN3-R场效应管,6N65L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579535

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号