收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

“壹芯”做好二、三极管各式优质二、三极管选壹芯微

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » MOSFET驱动方式详情

MOSFET驱动方式详情

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-09-09 浏览:-

MOSFET驱动方式:

驱动方式是对简易方式的一种初步改进,它不但能降低TTL器件的功率耗散,也能保证较高的开通速度。驱动方式可进一步改善驱动性能,不但关断时间可以进一步缩短,开通时间与关断时间的差别也通过互补电路而消除。同时,在这种驱动方式中的两个外接晶体管起着射极跟随器的作用,因而功率MOSFET永远不会被驱动到饱和区。由于互补方式增加了驱动功率,这种方式更适合于大功率MOSFET的驱动。

而这种方式可以产生足够高的栅压使器件充分导通,并保证较高的关断速度。由于外接负载电阻RL须有一定大小,以限制TTL的低电平输出晶体管的功率耗散,因而这种驱动方式的开通速度不够高。不过,对感性负载的开关电路来说,出于对动态损耗的考虑,关断速度的重要性就是要强一些。

MOSFET注意要点:

驱动电路的有关问题MOSFET管工作在高频时,为了防止振荡,有两点必须注意:第一,尽可能减少MOSFET各端点的连接线长度,特别是栅极引线,如果无法使引线缩短,则可按图1所示,靠近栅极处串联一个小电阻以便控制寄生振荡;第二,由于MOSFET的输入阻抗高,驱动电源的阻抗必须比较低,以避免正反馈所引起的振荡,特别是MOSFET的直流输入阻抗非常高,但它的交流输入阻抗是随频率而改变的,因此MOSFET的驱动波形的上升和下降时间与驱动脉冲发生器阻抗有关。另外,MOSFET的栅—源极间的硅氧化层的耐压。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:二极管 快恢复二极管 整流二极管 桥堆 肖特基二极管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1分析mos芯片输出驱动为什么一般用pmos做上管 nmos做下管

2MOS管知识-一清晰区分MOS NMOS PMOS CMOS(从原理的视角)

3mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础

4场效应管知识详解-细说场效应管类型和其他知识(图文)

5MOS管源极及漏极是否可以互换使用分析

6MOS管日常科普知识-10分钟详细图解MOS管的结构原理介绍

7电源设计知识详解-电源设计中的去耦电容应用实例

8mos管炸机-MOS管炸不炸机 原因的关键看这里

9详解MOS管阈值电压和沟长和沟宽的关系及影响阈值电压的因素

10器件发热导致的MOS管损坏之谜及MOS管发热如何解决

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:深圳市光明新区公明屋园路138号城德轩工业园E栋
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579534

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备15080555号