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快恢复二极管FRD是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。

  肖特基二极管SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

　二极管的Vf值为正向导通电压。在参数表中的Vf值是当Io在额定数值时的最大压降，那当Io并没有那么大时，电流小， Vf相应也就会小。二极管测试参数中IR是指漏电流、IF是二极管的型号也就是安培数、VR是二极管的最大流通电流。简单来说，就是二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流。

  快恢复二极管相对于肖特基二极管而言VF是比较高的，现在我们就来探讨下为什么快恢复二极管的VF比肖特基二极管要高。

  快恢复二极管耐压值都是在200V以上，20A同一TO-263封装的快恢复二极管，200V时的VF是1V以下，300V时的VF是1.1，400V的VF是在1.3，由此可以看出，耐压值越大，VF值越大，这个结论是成立的。如果还有质疑的朋友，我们还可以探讨一下快恢复二极管和肖特基二极管的比较。

  肖特基二极管的耐压值都是在200V以下，200V时的VF是0.9，100-150V时的VF是在0.8-0.88之间，100V以下在0.6左右，和快恢复二极管200V以上的对比，更能凸显耐压值越大，VF越高的说法，因此也说明了为什么快恢复二极管的VF比较高了。

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