收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

“壹芯”做好二、三极管各式优质二、三极管选壹芯微

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微资讯中心 » 常见问题解答 » 晶闸管可控硅伏安特性曲线知识

晶闸管可控硅伏安特性曲线知识

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-11-16 浏览:-

晶闸管可控硅伏安特性曲线知识

可控硅元件的结构

不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件.

可控硅伏安特性

可控硅结构示意图和符号图 

结构原件 

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如右图所示

可控硅伏安特性

可控硅等效图解图 

可控硅伏安特性

由图可以看出,晶闸管(可控硅)的阳极和阴极间加上正向电压,而控制极不加电压时,晶闸管的J1、J3结处于正向偏置,J2结处于反向偏置,晶闸管只能通过很小的正向漏电流IDR,即特性曲线的OA段,称为正向阻断状态。当阳极电压继续增加到图中的UB0值时,J2结被反向击穿,阳极电流急剧上升,特性曲线突然由A点跳到B点,晶闸管处于导通状态。 称为正向转折电压。晶闸管导通以后电流很大而管压降只有1V左右,此时的伏安特性与二极管的正向特性相似,如图中的BC段,称为正向导通特性。

晶闸管导通后,如果减小阳极电流,则当IA小于IH时,晶闸管突然由导通状态转变为阻断,特性曲线由B点跳回到A点.IH称为维持电流。

当控制极加上电流IG时,使晶闸管由阻断变为导通所需的阳极电压值将小于IB0,而且IG愈大,所需的阳极电压愈小。不同IG时的正向特性如图所示。

当晶闸管的阳极电压为负时的伏安特性称为反向特性。晶闸管加反向电压时,J1、J3结处于反向偏置,J2结处于正向偏置,晶闸管只流过很小的反向漏电流。这段特性与二极管的反向特性相似,晶闸管处于反向阻断状态。当反向电压超过图中的UBR值,管子被击穿,反向电流急剧增加,使晶闸管反向导通,成为不可逆击穿。UBR称为反向击穿电压。

晶闸管正常工作时,外加电压不允许超过反向击穿电压,否则管子将被损坏。同时,外加电压也不允许超过正向转折电压,否则不论控制极是否加控制电流 ,晶闸管均将导通。在可控整流电路中,应该由控制极电压来决定晶闸管何时导通,称为一个可控开关。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

推荐阅读

【本文标签】:二极管 快恢复二极管 整流二极管 桥堆 肖特基二极管

【责任编辑】:壹芯微 版权所有:http://www.szyxwkj.com/转载请注明出处

最新资讯

1分析mos芯片输出驱动为什么一般用pmos做上管 nmos做下管

2MOS管知识-一清晰区分MOS NMOS PMOS CMOS(从原理的视角)

3mos管功耗-mos管功耗计算方法和MOS驱动基础

4场效应管知识详解-细说场效应管类型和其他知识(图文)

5MOS管源极及漏极是否可以互换使用分析

6MOS管日常科普知识-10分钟详细图解MOS管的结构原理介绍

7电源设计知识详解-电源设计中的去耦电容应用实例

8mos管炸机-MOS管炸不炸机 原因的关键看这里

9详解MOS管阈值电压和沟长和沟宽的关系及影响阈值电压的因素

10器件发热导致的MOS管损坏之谜及MOS管发热如何解决

全国服务热线13534146615

地 址/Address

工厂地址:深圳市光明新区公明屋园路138号城德轩工业园E栋
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615 企业QQ:2881579534

扫一扫!

深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备15080555号