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IRFR320参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-12-24 浏览:-

IRFR320参数 中文资料 规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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IRFR320,TO-252

描述

第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。 直的引线版本(IRFU、SiHFU系列)用于通孔安装应用。 功耗水平高达1.5W在典型的表面贴装应用中是可能的。

封装形式与电路图符号

IRFR320场效应管封装:TO-252,TO-251

绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)

漏源电压(VDSS):400V

栅源电压(VGSS):±20V

雪崩电流(IAR):3.1A

漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):3.1A

漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):2.0A

漏极电流-脉冲(IDM):12A

单脉冲雪崩能量(EAS):160mJ

重复雪崩能量(EAR):4.2mJ

二极管恢复峰值(dv/dt):4.0V/ns

功耗(TC=25°C)(PD):42W

功耗(TC=100°C)(PD):2.5W

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С

热阻-结到外壳(RθJC):°C/W

热阻-结到环境(RθJA):°C/W

焊接的最高引线温度(TL):260°С

绝对最大额定值

封装规格如下:


TO-252封装

TO-251封装

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