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高频快恢复二极管就是反向恢复速度很快且频率二极管的意思。也就是主要用于高频领域的快速恢复二极管FRD,这是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

  高频快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

  高频快恢复二极管通常采用TO–220或TO–3P封装，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用 PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以 下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。

   随着装置工作开关频率的提高，若没有FRD给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，那么IGBT、功率MOSFET等开关器件就不能发挥其功能和独特作用，这是由FRD关断特性参数（反向恢复时间t、反向恢复电荷Q、反向峰值电流I ）的作用所致，合适的快恢复二极管能使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰、高频干扰电压及EMI降至最低，使开关器件的作用得到充分发挥。

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