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FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-11-30 浏览:-

FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载

FIR2N60ALG参数及代换,FIR2N60ALG封装引脚图,FIR2N60ALG规格书(数据手册)

FIR2N60ALG(TO-252)

(图(如上):FIR2N60ALG,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)

壹芯微供应FIR2N60ALG系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。

FIR2N60ALG场效应管主要参数如下:

参数符号单位
漏极-源极电压VDSS600V
栅极-源极电压VGSS±30V
雪崩电流IAR2A
栅极-源极电压(TJ=25°C)ID2A
栅极-源极电压(TJ=100°C)ID1.25A
脉冲漏极电流ID puls-A
单脉冲雪崩能量EAS120mJ
重复雪崩能量EAR-mJ
二极管恢复峰值dv/dt20V/ns
功耗,(TC = 25°C)PD44W
工作结温范围TJ150 °С
贮存温度范围TSTG-55~+150 °С
焊接的最高引线温度TL300 °С
热阻-结到外壳RθJC2.84°C/W
热阻-结到环境RθJA110°C/W

(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)

FIR2N60ALG.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)

FIR2N60ALG规格书

FIR2N60ALG规格书

FIR2N60ALG规格书

FIR2N60ALG规格书

FIR2N60ALG封装

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