FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载
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(图(如上):FIR2N60ALG,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)
壹芯微供应FIR2N60ALG系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。
参数 | 符号 | 值 | 单位 |
漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V |
栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
雪崩电流 | IAR | 2 | A |
栅极-源极电压(TJ=25°C) | ID | 2 | A |
栅极-源极电压(TJ=100°C) | ID | 1.25 | A |
脉冲漏极电流 | ID puls | - | A |
单脉冲雪崩能量 | EAS | 120 | mJ |
重复雪崩能量 | EAR | - | mJ |
二极管恢复峰值 | dv/dt | 20 | V/ns |
功耗,(TC = 25°C) | PD | 44 | W |
工作结温范围 | TJ | 150 | °С |
贮存温度范围 | TSTG | -55~+150 | °С |
焊接的最高引线温度 | TL | 300 | °С |
热阻-结到外壳 | RθJC | 2.84 | °C/W |
热阻-结到环境 | RθJA | 110 | °C/W |
(参数表(如上):绝对最大额定参数与电气特性等)
FIR2N60ALG.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
壹芯微(二,三极管,MOS管专业生产商)主要生产与销售:肖特基二极管,整流二极管,TVS二极管,快恢复二极管,超快恢复二极管,高效整流二极管,晶体三极管,MOSFET/场效应管,可控硅,三端稳压管,整流桥堆,IC集成电路;工厂直销价,品质保障,提供售前选型,送样测试,技术支持,售后FEA,如需了解产品报价及详细信息,欢迎咨询官网在线客服。
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