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场效应管工作原理是什么-壹芯微二极管

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2018-12-12 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产场效应管的生产厂家,各种技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,像今天有位客户来咨询说,场效应管工作原理是什么,处理好这个问题后,就来到这里,打算跟各位分享一下,后面有遇到相同的问题可以参考解决

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为普遍的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体资料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分红耗尽型与加强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有加强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和加强型;P沟耗尽型和加强型四大类

场效应管的特性是南栅极电压UG;控制其漏极电流ID。和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性。

场效应管的工作原理(以结型N沟道管为例)。由于栅极G接有负偏压(-UG),在G左近构成耗尽层。

当负负偏压(-UG)的绝对值增大时,耗尽层增大,沟道减小,漏极电流ID减小。当负偏压(一UG)的绝对值减小时,耗尽层减小,沟道增大,漏极电流ID增大。可见,漏极电流ID受栅极电压的控制,所以场效应管是电压控制型器件,即经过输入电压的变化来控制输出电流的变化,从而到达放大等目的。

和双极型晶体管一样,场效应管用于放大等电路时,其栅极也应加偏置电压。

结型场效府管的栅极应加反向偏置电压,即N沟道管加负栅压,P沟道管加正栅爪。加强型绝缘栅场效应管应加正向栅压。耗尽型绝缘栅场效应管的栅压可正、可负、可为“0”,见表4-2。加偏置的办法有同定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等。

一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

三、场效应管可以用作可变电阻。

四、场效应管可以方便地用作恒流源。

五、场效应管可以用作电子开关。

MOS管、场效应管。具有低内阻、高耐压、快速开关、雪崩能量高等特点,设计电流跨度1A-200A电压跨度30V-1200V,我们可以根据客户的应用领域和应用方案的不同作出调整电性参数,提高客户产品的可靠性,整体转换效率和产品的价格竞争优势。

壹芯微科技针对场效应管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

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