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2N7002 N沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，7.5Ω，SOT23（或不同封装）

2N7002(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)

描述

此N沟道增强模式MOSFET是使用高单元密度的沟槽MOSFET技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备强固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求400mA DC的大多数应用，可以提供高达2A的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET门极驱动器和其他开关应用。

特性

高密度单元设计可实现极低的RDS(ON)。

电压控制的小型信号开关。

坚固而可靠。

高饱和电流能力。

应用

该产品是一般用途，适用于许多不同的应用。小型伺服电机控制功率MOSFET栅极驱动器

2N7002主要参数

极性：NPN

漏源电压(VDS)：60(V)

栅源电压(VGS)：±20(V)

单脉冲雪崩电流(IAS)：*(A)

漏极电流-连续(ID)：115(mA)

漏极电流-脉冲(IDM)：800(mA)

单脉冲雪崩能量(EAS)：*(mJ)

重复雪崩能量(EAR)：*(mJ)

二极管恢复峰值(dv/d)：*(V/ns)

功耗(PD)：200(mW)

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~150(°С)

热阻-结到环境(RθJA)：625(°C/W)

热阻-结到外壳(RθJC)：*(°C/W)

焊接的最高引线温度(TL)：300(°С)

2N7002封装尺寸

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